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ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻（物理学領域） 職種 准教授 |
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| 発表年月日 | 2026/03/04 |
| 発表テーマ | Evaluation of Radiation Hardness of H-Terminated Diamond MOSFETs with Ion Implanted Buried p+ Electrodes |
| 発表学会名 | Hasselt Diamond Workshop 2026 |
| 学会区分 | 国際学会 |
| 発表形式 | ポスター |
| 単独共同区分 | 共同 |
| 開催地名 | Hasselt, Belgium |
| 開催期間 | 2026/03/04～2024/03/06 |
| 発表者・共同発表者 | S. Uehara, Y. Seki, Y. Hoshino, H. Umezawa, J. H. Kaneko |
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