研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
発表年月日	2004/10
発表テーマ	SiC(000-1)-2×2表面構造と初期酸化カイネティクス
発表学会名	シリコンカーバイド及びワイドギャップ半導体研究会 [名古屋]
学会区分	研究会・シンポジウム等
発表形式	口頭（一般）
単独共同区分	共同
開催地名	名古屋
発表者・共同発表者	星野靖、福山亮、松原佑典、西村智朗、田中真悟、香山正憲、城戸義明