|
|
ホシノ ヤスシ
Hoshino Yasushi 星野 靖 所属 神奈川大学 理学部 理学科 神奈川大学大学院 理学研究科 理学専攻(物理学領域) 職種 准教授 |
|
発表年月日 | 2010/09 |
発表テーマ | SiC{0001} 表面上のNi シリサイド反応によるグラフェン層の形成 |
発表学会名 | 応用物理学会 学術講演会 [長崎大学] 講演番号:16aZM-6 |
学会区分 | 全国学会 |
発表形式 | 口頭(一般) |
単独共同区分 | 共同 |
開催地名 | 長崎大学 |
発表者・共同発表者 | 米田知晃、渋谷誠、光原圭、Anton Visikovskiy、星野靖、城戸義明 |