ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 理学科
    神奈川大学大学院  理学研究科 理学専攻(物理学領域)
   職種   准教授
発表年月日 2015/12
発表テーマ Synthesis of an ultrathin Si layer separated by a buried oxide formed by O+ implantation in Si(001) substrates
発表学会名 第16回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会
学会区分 研究会・シンポジウム等
発表形式 口頭(一般)
単独共同区分 共同
開催地名 奈良女子大学
発表者・共同発表者 Y. Hoshino, G. Yachida, K. Inoue, T. Toyohara, J. Nakata