ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 理学科
    神奈川大学大学院  理学研究科 理学専攻(物理学領域)
   職種   准教授
発表年月日 2017/09
発表テーマ 清浄表面および水素終端化Si(001)表面上に形成した極薄非晶質Si層の中エネルギーイオンビーム照射による再結晶化レートと界面水素量依存性
発表学会名 応用物理学会 学術講演会 講演番号:7a-C21-13
学会区分 全国学会
発表形式 口頭(一般)
単独共同区分 共同
開催地名 福岡国際会議場
発表者・共同発表者 谷地田 剛介,井上 航大, 星野 靖, 中田 穣治