研究者情報 | 神奈川大学

ホシノ　ヤスシ Hoshino Yasushi 星野　靖所属神奈川大学理学部理学科神奈川大学大学院理学研究科理学専攻（物理学領域）職種准教授
発表年月日	2019/03/20
発表テーマ	C60クラスターイオンビームを照射したSiとGeの表面構造評価
発表学会名	日本金属学会2019年春季講演大会
主催者	日本金属学会
学会区分	全国学会
発表形式	ポスター
単独共同区分	共同
開催地名	東京電機大学
発表者・共同発表者	村尾吉輝、新田紀子、土田秀次、冨田成夫、笹公和、平田浩一、柴田裕実、平野貴美、山田圭介、千葉敦、斉藤勇一、鳴海一雅、星野靖
概要	半導体材料であるGe、GaSb、InSbに単原子イオンビーム照射を行うと、カスケード損傷によって生成された点欠陥の移動により基板表面にポーラス構造が形成される。Geと同じ元素半導体であるSiに単原子イオンビームを照射しても、構造形成は確認されていない。しかしながら、Siに単原子イオンビームを斜入射した際には、スパッタリングによるリップル構造の形成が確認されている。本研究では単原子イオンビームより、高密度に点欠陥生成可能なクラスターイオンビームを照射することで、Si基板上に点欠陥の自己組織化によるポーラス構造の作製を試みる。加えて、クラスターイオンビームを斜入射することで形成されるSi表面構造の評価、及び同条件で照射したGeの表面構造と比較を行う。