ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 理学科
    神奈川大学大学院  理学研究科 理学専攻(物理学領域)
   職種   准教授
発表年月日 2004/10
発表テーマ SiC(000-1)-2×2表面構造と初期酸化カイネティクス
発表学会名 シリコンカーバイド及びワイドギャップ半導体研究会 [名古屋]
学会区分 研究会・シンポジウム等
発表形式 口頭(一般)
単独共同区分 共同
開催地名 名古屋
発表者・共同発表者 星野靖、福山亮、松原佑典、西村智朗、田中真悟、香山正憲、城戸義明