1.
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論文
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Morphological changes of nanostructures on silicon induced by C60-ion irradiation (共著) 2022/11
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2.
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論文
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1651-V 3.6×105 On/off Ratio All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond (共著) 2022/10
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3.
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論文
|
Diamond Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping (共著) 2022/10
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4.
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論文
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Local structures of phosphorus atoms implanted in crystalline diamond (共著) 2022/10
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5.
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論文
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イオンビーム誘起結晶成長(IBIEC)法によるダイヤモンド半導体へのイオン注入n型ドーパントの電気的活性化の可能性 (共著) 2022/07
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6.
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論文
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CURRENT-VOLTAGE PROPERTIES OF SCHOTTKY CONTACT FORMED BY COPPER LAYER DEPOSITED ON ION-IMPLANTED P-TYPE DIAMONDS (共著) 2022/03
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7.
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論文
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Temperature and Ion-velocity Dependence of Crystal Sensitivity of Ultra-fine-crystal Nuclear-emulsion Plate (共著) 2021/10
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8.
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論文
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Extremely High-efficient Activation of Acceptor Boron Introduced by Ion Implantation at Room Temperature with Various Doping Concentrations in Epitaxially Synthesized Diamond Films by Chemical Vapor Deposition (共著) 2021/04
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9.
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論文
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Schottky Barrier Diodes Fabricated on High-purity Type-IIa CVD Diamond Substrates using an All-ion-implantation Process (共著) 2021/04
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10.
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論文
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IIa型CVDダイヤモンド基板にn型ドーパント元素をイオン注入しポストアニールによって形成した電気伝導層の電気特性 (共著) 2020/11
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11.
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論文
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Surface structure of Si irradiated by C60 cluster ion beams with different irradiation angles (共著) 2020/06
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12.
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論文
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高速クラスタービームによる生命科学・表面界面工学への応用研究 (共著) 2020/06
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13.
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論文
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ELECTRICAL PROPERTIES OF DIAMOND FORMED BY P+ ION IMPLANTATION AT 900°C AND ROOM TEMPERATURE FOLLOWED BY 1150°C ANNEALING (共著) 2020/03
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14.
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論文
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REALIZATION OF P-TYPE CONDUCTIVE LAYER ON TYPE IIA CVD DIAMOND BY B+ ION IMPLANTATION AT ROOM TEMPERATURE FOLLOWED BY 1150°C AND 1300°C ANNEALING (共著) 2020/03
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15.
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論文
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Electrical properties and conduction mechanisms of heavily B-doped type IIa diamond formed by B ion implantation: effect of temperatures during ion implantation and postannealing upon electrical conduction (共著) 2020/02
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16.
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論文
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The sputtering yield of crystalline Si(100) surface by monoatomic and diatomic nitrogen ions impact (共著) 2019/12
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17.
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論文
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Remarkable p-type activation of heavily doped diamond accomplished by boron ion implantation at room temperature and subsequent annealing at relatively low temperatures of 1150 and 1300C (共著) 2019/08
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18.
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論文
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Depth profiling of interfacial fluctuation with nanometer order in ultrathin silicon-on-insulator structure by classical Rutherford backscattering using 10B ions (共著) 2019/07
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19.
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論文
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Formation of SiC Nanocrystals Aligned at the SiO2/Si Interface Aiming at Sample Preparation for Scanning Tunneling Luminescence Spectroscopy (共著) 2019/07
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20.
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論文
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The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments (共著) 2019/07
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21.
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論文
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物理学実験1における光の回折・干渉実験の実践例と応用 (単著) 2019/07
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22.
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論文
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Surface Structures on Ge and Si Irradiated with C60 Cluster Ion Beams (共著) 2019/06
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23.
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論文
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THE EPITAXIAL GROWTH OF AMORPHOUS Si LAYER DEPOSITED ON HYDROGEN-TERMINATED SURFACES USING ION BEAM INDUCED EPITAXIAL CRYSTALLIZATION WITH ION BEAM MIXING (共著) 2019/03
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24.
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論文
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THE FORMATION OF ULTRATHIN SiC LAYER BY OXYGEN AND SILICON IMPLANTATION INTO 4H-SiC(0001) SUBSTRATE (共著) 2019/03
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25.
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論文
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Epitaxial growth of deposited amorphous Si layer formed on hydrogen-terminated Si(001) surfaces by ion beam induced epitaxial crystallization with ion beam mixing (共著) 2019/02
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26.
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論文
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n-型ダイヤモンド半導体へのオーミック電極構造形成法の研究(1) (共著) 2018/07
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27.
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論文
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数理・物理学科における物理学実験での放射線教育の実践例 (単著) 2018/07
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28.
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論文
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Porous Structure on Ge Surface Formed by C60 Ion Beam Irradiation (共著) 2018/06
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29.
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論文
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INVESTIGATION OF HOMOEPITAXIAL Si GROWTH DEPOSITED BY ELECTRON BOMBARDMENT ONTO THE Si (100) SUBSTRATE (II) (共著) 2018/03
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30.
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論文
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Oxygen ion implantation into the crystalline (001)Si substrates through the patterned SiO2 structures
-Evaluation of surface morphology- (共著) 2018/03
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31.
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論文
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PREPARATION OF SAMPLE FOR STM LUMINESCENCE SPECTROSCOPY OF SINGLE SiC ANOCRYSTAL
USING CT PROBE (共著) 2018/03
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32.
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論文
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SIMPLIFICATION OF OHMIC ELECTRODE STRUCTURE ON n-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE BY Ar ION IMPLANTATION (共著) 2018/03
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33.
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論文
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Advanced Experimental Physics in Kanagawa University (単著) 2017/08
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34.
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論文
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Epitaxial Growth of Si on Hydrogen-Terminated Si(001) Surfaces Induced by Ion Beam irradiation at 300oC (共著) 2017/07
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35.
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論文
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Novel SOI Structure Formation Using MeV Ion Beam Irradiation
- Study of Amorphous Si Layer Deposition Using EB Evaporating Method in The UHV Environment - (共著) 2017/07
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36.
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論文
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Diffusion and aggregation process of oxygen embedded around an amorphous/crystal interface of Si(001) studied by molecular dynamics simulation (単著) 2017/05
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37.
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論文
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FABRICATION OF THE OPTICAL SYSTEM FOR CL AND PL MEASUREMENT USING CT PROBE WITH HIGH-SPACIAL RESOLUTION (共著) 2017/03
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38.
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論文
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INVESTIGATION OF HOMOEPITAXIAL Si GROWTH DEPOSITED BY ELECTRON BOMBARDMENT ONTO THE Si(100) SUBSTRATE (共著) 2017/03
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39.
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論文
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WIMP tracking with cryogenic nuclear emulsion (共著) 2017/01
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40.
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論文
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A novel mechanism of ultrathin SOI synthesis by extremely low-energy hot O+ implantation (共著) 2016/07
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41.
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論文
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Synthesis of a Thin Buried Oxide Layer by High Temperature Oxygen Implantation in a Silicon Substrate
- Effect of High Temperature Implantation - (共著) 2016/07
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42.
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論文
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Direct synthesis of ultrathin SOI structure by extremely low-energy oxygen implantation (共著) 2016/06
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43.
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論文
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Formation of SIMOX-SOI structure by high-temperature oxygen implantation (共著) 2015/12
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44.
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論文
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Silicide Synthesis by Fe+ Implantation in Silicon Substrate (共著) 2015/07
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45.
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論文
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Formation of Co nano-particles for CNT growth using all-vacuum pcoresses (共著) 2015/03
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46.
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論文
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Formation of ohmic electrodes for diamond semiconductor using Ar ion irradiation (共著) 2015/03
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47.
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論文
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Growth of Carbon Nanotubes using Total Vacuum Processes and Characterization of Co Nano-particles by RHEED/STM (共著) 2014/07
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48.
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論文
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Growth of carbon nanotubes from catalytic metal nanoparticles formed by hot ion-implantation into insulating films (共著) 2013/07
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49.
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論文
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Analysis of depth redistribution of implanted Fe near SiO2/Si interface (共著) 2013/06
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50.
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論文
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Growth of homoepitaxial diamond thin film on the fairly-well flat Ib-type diamond substrate using micro-wave plasma CVD method (共著) 2013/03
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51.
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論文
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Carbon nanotube growth from catalytic nano-clusters formed by hot-ion-implantation into the SiO2/Si interface (共著) 2012/07
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52.
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論文
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Growth of single-walled carbon nanotubes from Fe nanoparticles formed by hot-ion implantation
-- Investigation of etching and CVD conditions for CNT growth in SiO2 films using microwave plasma -- (共著) 2012/07
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53.
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論文
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Research into radioactivity diffused by explosion of the Fukushima daiichi nuclear power station (共著) 2012/07
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54.
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論文
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Analysis of Fe nanoparticles formed near the SiO2/Si interface by hot-ion implantation using RBS and TEM (共著) 2012/03
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55.
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論文
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Initial stage of silicidation at Au/Si(111) interfaces (共著) 2012/03
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56.
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論文
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Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes from Nano-clusters Formed in SiO2-layer during Fe Hot-ion-Implantation (共著) 2012/01
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57.
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論文
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Growth of carbon nanotubes on Fe nano- particles formed by hot ion-implantation (共著) 2011/07
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58.
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論文
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Graphene on SiC(0001) and SiC(000-1) surfaces grown via Ni-silicidation reactions (共著) 2011/05
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59.
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論文
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Characterization of diamond substrates and homoepitaxial microwave- plasma CVD films using various estimation methods (共著) 2011/03
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60.
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論文
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Characterization of Hot-Implanted Fe near the SiO2/Si Interface (共著) 2011/03
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61.
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論文
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RBS analysis of Au/(Pt)/Ti multilayer grown on C(001) surfaces (共著) 2011/03
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62.
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論文
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Growth of carbon nanotubes on Fe nano- particles formed by hot ion-implantation (共著) 2010/07
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63.
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論文
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Interdiffusion analysis of Au/Ti and Au/Pt/Ti electrode structures grown on diamond (001) surface by RBS method (共著) 2010/07
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64.
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論文
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Graphene on SiC(0001) and SiC(000-1) surfaces grown via Ni-silicidation reactions (共著) 2010/06
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65.
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論文
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Characterization of diamond substrates and homoepitaxial microwave-plasma CVD films using various estimation methods (共著) 2009/12
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66.
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論文
|
RBS analysis of Au/(Pt)/Ti multilayer grown on C(001) surfaces (共著) 2009/12
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67.
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論文
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Study on surfaces and interfaces in thin films using quantum beams (単著) 2009/12
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68.
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論文
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A stable Isotopic tracing study of the growth of silicon carbide nanocrystals at the SiO2/Si interface by CO annealing (共著) 2009/07
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69.
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論文
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Research for Electrical Activation of Ion-implanted Diamond Semiconductors Using MeV Ion Beam Irradiation
- Research for Formation of High-quality Diamond EPitaxial Thin Layers on the Diamond Substrates and Evaluation of These Layers - (共著) 2009/07
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70.
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論文
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Structure of an Ultrathin Aluminum Oxide Layer Grown on a NiAl (110) Substrate (共著) 2009/05
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71.
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論文
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Structures of clean and oxygen-adsorbed SiC (000-1)-3×3 surfaces (共著) 2009/05
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72.
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論文
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The Structure and Growth Process of Au/Si(111) Analyzed by High-resolution Ion Scattering Coupled with Photoelectron Spectroscopy (共著) 2009/05
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73.
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論文
|
Charge exchange of medium energy H and He ions emerging from solid surfaces (共著) 2009/02
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74.
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論文
|
Asymmetric line shapes for medium energy H and He ions undergoing a large-angle collision (共著) 2008/11
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75.
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論文
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Structures of clean and oxygen-adsorbed SiC(0001) (3×3) surfaces (共著) 2008/10
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76.
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論文
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The structure and growth process of Au/Si(111) determined by high-energy ion scattering coupled with photoelectron spectroscopy (共著) 2008/10
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77.
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論文
|
Structure of an ultrathin aluminum oxidelayer grown on a NiAl(110) substrate (共著) 2008/02
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78.
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論文
|
Growth of SiO2 on SiC by dry thermal oxidation: Mechanisms (共著) 2007/10
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79.
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論文
|
Atomic and electronic structures of 6H-SiC(000-1) 3×3 surface (共著) 2007/05
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80.
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論文
|
Kinetics of oxynitridation of 6H-SiC(1120) and the interface structure analyzed by ion scattering and photoelectron spectroscopy (共著) 2007/02
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81.
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論文
|
Atomic and Electronic Structures of Ultra-thin Ni-deposited SiC(000-1) 2×2 surface (共著) 2006/05
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82.
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論文
|
Atomic Structure of Si-rich 6H-SiC(000-1)-2×2 Surface (共著) 2006/05
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83.
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論文
|
Initial Growth Processes of Ultra-thin Ni-Layers on Si(111) and Electronic Structure of Epitaxially Grown NiSi2 (共著) 2006/05
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84.
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論文
|
Atomic and electronic structures of ultrathin Ni-deposited SiC(000-1) 2×2 surface (共著) 2005/12
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85.
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論文
|
Initial growth processes of ultra-thin Ni layers on Si(111) and electronic structure of eitaxially grown NiSi2 (共著) 2005/08
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86.
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論文
|
Atomic scale characterization of HfO2/Al2O3 Thin Films Grown on Nitrided and Oxidized Si Substrates (共著) 2005/05
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87.
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論文
|
Atomic structure of Si-rich 6H-SiC(000-1) 2×2 surface (共著) 2005/05
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88.
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論文
|
Ultrathin Ni layers grown epitaxially on SiC(0001) at room temperature (共著) 2005/05
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89.
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論文
|
Dynamic response of target electrons upon low and medium energy ion impact (共著) 2005/04
|
90.
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論文
|
Atomic scale characterization of HfO2/Al2O3 thin films grown on nitrided and oxidized Si substrates (共著) 2004/12
|
91.
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論文
|
Oxidized surface structure and oxidation kinetics for C-terminated 6H-SiC(000-1) -2×2 surface (共著) 2004/10
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92.
|
論文
|
Inelastic energy loss and spectrum shape for medium energy He ions undergoing a large-angle single collision with Si(111) √3×√3-Sb (共著) 2004/06
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93.
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論文
|
Atomic and Electronic Structures of 6H-SiC(11-20) Surface (共著) 2004/05
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94.
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論文
|
Interfacial reactions between ultra-thin Ni layer and clean 6H-SiC(0001) surface (共著) 2004/05
|
95.
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論文
|
Ultrathin Ni layers grown epitaxially on SiC(0001) at room temperature (共著) 2004/04
|
96.
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論文
|
Structure change of ultra-thin Ni-deposited 6H-SiC(0001)-R3xR3 surface by post-anneling (共著) 2003/08
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97.
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論文
|
The atomic and electronic structures of 6H-SiC(1120) (共著) 2003/08
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98.
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論文
|
Dynamical response of target electrons on elastic scattering cross sections for heavy-ion impact on a high-Z atom (共著) 2003/07
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99.
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論文
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Atomic scale characterization of oxidized 6H-SiC(1120) surfaces (共著) 2003/06
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100.
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論文
|
Structure Change of Ni(1ML)/Si(111) by Post-annealing Observed by Atomic Force Microscopy, Ion Scattering and Photoelectron Spectroscopy (共著) 2003/05
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101.
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論文
|
Atomic level characterization of the oxidized and metal-deposited Si and SiC surfaces (単著) 2003/03
|
102.
|
論文
|
Charge exchange for medium energy He and Ne ions in a large-angle collision at solid surface (共著) 2003/02
|
103.
|
論文
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Characterization and control of HfO2/Si(001) interfaces (共著) 2002/09
|
104.
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論文
|
Z2- and energy-dependent charge fractions for medium energy He ions after a large-angle single collision at solid surfaces (共著) 2002/09
|
105.
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論文
|
Structure change of Ni(1ML)/Si(111) by post-annealing observed by atomic force microscopy, ion scattering and photoelectron spectroscopy (共著) 2002/06
|
106.
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論文
|
Initial oxidation of 6H-SiC(0001)-R3xR3 surface studied by ion scattering combined with photoemission induced by synchrotron-radiation-light (共著) 2002/05
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107.
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論文
|
Initial Oxidation of Si(001)-2×1 Surface Studied by Photoelectron Spectroscopy Coupled with Medium Energy Ion Scattering (共著) 2002/05
|
108.
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論文
|
Surface structure of Y2O3(9.5mol%)-stabilized ZrO2(001) determined by high-resolution medium energy ion scattering (共著) 2002/05
|
109.
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論文
|
Surface structure and dipole moments of RbI(001) determined by high-resolution medium-energy ion scattering (共著) 2001/11
|
110.
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論文
|
Charge state of medium-energy He ions after large-angle single collisions (共著) 2001/10
|
111.
|
論文
|
Initial oxidation of Si(001) 2x1 surface studied by photoelectron spectroscopy coupled with medium energy ion scattering (共著) 2001/08
|
112.
|
論文
|
Surface structure of Y2O3(9.5 mol%)-stabilized ZrO2(001) determined by high-resolution medium-energy ion scattering (共著) 2001/08
|
113.
|
論文
|
Lattice dynamics of RbI(001) surface studied by high-resolution medium energy ion scattering and molecular dynamics simulation (共著) 2001/07
|
114.
|
論文
|
Oxidation processes for Si(111) 7x7 surfaces analyzed in situ by synchrotron-radiation- induced photoemission and medium energy ion scattering (共著) 2001/07
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115.
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論文
|
Initial oxidation of Si(111)-7×7 surfaces studied by photoelectron spectroscopy combined with medium energy ion scattering (共著) 2001/05
|
116.
|
論文
|
Surface structures of SrTiO3(001) and Ni/SrTiO3(001) studied by medium energy ion scattering and SR-photoelectron spectroscopy (共著) 2001/05
|
117.
|
論文
|
中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(001) 2x1およびSi(111) 7x7表面の初期酸化過程の研究 (単著) 2001/03
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118.
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論文
|
Dipole moments of the top and second layer ions of RbI(001) surface determining by high-resolution medium energy ion scattering (共著) 2001/02
|
119.
|
論文
|
Collection of Ziegler's stopping powers of Al, Si and their oxides for MeV He ions (共著) 2000/11
|
120.
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論文
|
Initial oxidation of Si(111) 7x7 surfaces studied by photoelectron spectroscopy combined with medium energy ion scattering (共著) 2000/08
|
121.
|
論文
|
Anomalous surface peaks observed in the backscattering spectra from amorphous Si and SiO2 films for medium energy He ions (共著) 2000/05
|
122.
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論文
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Rumpled relaxations of TiC(001) and TaC(001) determined by high-resolution medium energy ion scattering (共著) 2000/05
|
123.
|
論文
|
Surface peaks observed for medium energy He ions backscattered from amorphous solids (共著) 2000/05
|
124.
|
論文
|
Surface structures of SrTiO3(001) and Ni/SrTiO3(001) studied by medium-energy ion scattering and SR-photoelectron spectroscopy (共著) 2000/05
|
125.
|
論文
|
Rumpled relaxation of TiC(001) and TaC(001) determined by high-resolution medium energy ion scattering spectroscopy (共著) 2000/01
|
126.
|
その他
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ダイヤモンドへのAlイオン注入によるp型不純物ドーピング (共著) 2022/12
|
127.
|
その他
|
ダイヤモンド半導体へのBイオン注入における活性化アニール時間の最適化 (共著) 2022/12
|
128.
|
その他
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岩石中における低エネルギー原子核反跳トラック検出に関する基礎的研究 (共著) 2022/12
|
129.
|
その他
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イオン注入を用いた超高純度ダイヤモンド基板への低濃度Bドーピング (共著) 2022/12
|
130.
|
その他
|
イオン注入IIa型ダイヤモンドの活性化アニール時間の最適化 (共著) 2022/11
|
131.
|
その他
|
Bイオン注入のみで作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード (共著) 2022/09
|
132.
|
その他
|
Paleo-detector の開発 (共著) 2022/09
|
133.
|
その他
|
耐圧1651 V, 整流比 3.6x105の全イオン注入法により作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード (共著) 2022/09
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134.
|
その他
|
Local Structures of Phosphorus Atom Implanted in Diamond (共著) 2022/06
|
135.
|
その他
|
Development of Paleo-detectors (共著) 2022/05
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136.
|
その他
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Pイオン注入ダイヤモンド中におけるP原子局所構造分析(II) (共著) 2022/03
|
137.
|
その他
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[第43回優秀論文賞受賞記念講演] 高濃度B+イオン注入したIIa型ダイヤモンドの電気特性と伝導機構-イオン注入時及びポストアニール時の温度による効果- (共著) 2022/03
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138.
|
その他
|
Pイオン注入したダイヤモンドに対するP原子の局所構造解析 (共著) 2021/12
|
139.
|
その他
|
導電透明プローブ用スパッタ蒸着ITO膜の電気特性評価 (共著) 2021/12
|
140.
|
その他
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イオン注入p 型ダイヤモンドショットキーバリアダイオードの I V 特性 (共著) 2021/12
|
141.
|
その他
|
透明導電探針における新たな石英ファイバの剛体化手法の開発 (共著) 2021/12
|
142.
|
その他
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エマルジョン暗黒物質探索実験NEWSdm(3)〜低バックグラウンド化へ向けた結晶感度の温度依存性評価〜 (共著) 2021/03
|
143.
|
その他
|
Bイオン注入によるCVDダイヤモンド薄膜中への低補償率p型伝導層の形成 (共著) 2021/01
|
144.
|
その他
|
Crystallization of thin amorphous Si layer by electron or ion beam irradiation: effect of electronic energy deposition (共著) 2020/12
|
145.
|
その他
|
Energy dependence of nanostructure formation by fast C60 cluster ion beam on Si (共著) 2020/12
|
146.
|
その他
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MeV 級イオン照射用ビームラインの構築 (共著) 2020/12
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147.
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その他
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光 STM 用透明導電プローブの作製と評価 (共著) 2020/12
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148.
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その他
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マイクロ波プラズマ CVD を用いた SiC 上へのダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長 (共著) 2020/12
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149.
|
その他
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マイクロ波プラズマ CVD を用いた高品質ホモエピタキシャルダイヤモンドの高速成長 (共著) 2020/12
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150.
|
その他
|
超微粒子原子核乾板NITにおける荷電粒子のエネルギー損失量と速度に対する潜像形成効率 (共著) 2020/12
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151.
|
その他
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C60クラスターイオンビーム照射によるSi表面構造の形成 (共著) 2020/09
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152.
|
その他
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RBS 法による膜厚測定から求めた高エネルギータングステンの自己スパッタリング収率の測定 (共著) 2020/09
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153.
|
その他
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低速イオンを用いたAgBr:Iナノ半導体発光の研究 (共著) 2020/09
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154.
|
その他
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イオンビームによる薄膜・表面の構造組成分析 (単著) 2020/03
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155.
|
その他
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CO熱拡散によるSiO2/Si界面へのSiCナノ微結晶粒子の形成 (共著) 2019/12
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156.
|
その他
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P, Oイオン注入室温 ,900℃ とポストアニール(1150℃)によって形成したIIa型CVDダイヤモンドの電気特性 (共著) 2019/12
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157.
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その他
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Si単結晶基板表面に形成した非晶質Si層の結晶化メカニズム ―EBIECとIBIECの比較― (共著) 2019/12
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158.
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その他
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全面SiO2層に向けた電子衝突蒸着Si層の結晶成長条件の検討 (共著) 2019/12
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159.
|
その他
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室温11B+イオン注入及び1150°C,1300°Cアニール処理によるIIa型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング (共著) 2019/12
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160.
|
その他
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室温11B+イオン注入及び1150°C, 1300°Cアニール処理によるIIa 型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング (共著) 2019/11
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161.
|
その他
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The remarkable p-type conductivity of CVD diamond substrate accomplished by 11B+ ion implantation at room temperature and subsequent annealing at relatively low-temperature of 1150 and 1300°C (共著) 2019/09
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162.
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その他
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C60クラスターイオンビームを照射したSiとGeの表面構造評価 (共著) 2019/03
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163.
|
その他
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SiC単結晶基板の酸素イオン注入による埋込絶縁層の形成 (共著) 2018/12
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164.
|
その他
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The epitaxial growth of deposited amorphous Si layer on hydrogen-terminated surfaces using ion beam induced epitaxial crystallization with ion beam mixing (共著) 2018/12
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165.
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その他
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ダイヤモンド半導体のn型ドーパント高温イオン注入による電気的活性化の研究 (共著) 2018/12
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166.
|
その他
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水素終端単結晶Si基板上へ堆積した非晶質Si層のイオンビームミキシングを伴ったイオンビーム誘起低温結晶成長 (共著) 2018/12
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167.
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その他
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水素終端単結晶Si基板上へ堆積した非晶質Si層のイオンビームミキシングを伴ったイオンビーム雄貴結晶成長 (共著) 2018/12
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168.
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その他
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高温Bイオン注入したタイプIIa CVDダイヤモンド基板の電気特性 (共著) 2018/12
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169.
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その他
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高温(1000℃)Bイオン注入したIIaタイプCVDダイヤモンド基板の電気特性 (共著) 2018/11
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170.
|
その他
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The remarkable p-type carrier transport induced by 1000C B and C ion implantation into the IIa diamond substrates followed by 1150C annealing (共著) 2018/09
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171.
|
その他
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イオンビームミキシングを併用したイオンビーム誘起結晶成長法による水素終端上の非晶質Si層のエピタキシャル成長 (共著) 2018/09
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172.
|
その他
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The sputtering yield of crystalline Si(100) surface by monoatomic and diatomic nitrogen ions impact (共著) 2018/07
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173.
|
その他
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Porous Structure on Ge Surface Formed by C60 Ion Beam Irradiation (共著) 2018/06
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174.
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その他
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The epitaxial growth of deposited amorphous Si layer on hydrogen-terminated surfaces using ion beam mixing treatment (共著) 2018/06
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175.
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その他
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高速C60イオンビーム照射によるGe表面ポーラス構造の形状制御 (共著) 2018/06
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176.
|
その他
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The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments (共著) 2017/12
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177.
|
その他
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Depth profiling of interfacial fluctuation with nanometer order in ultrathin ilicon-on-insulator structure by classical Rutherford backscattering using 10B ions (共著) 2017/10
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178.
|
その他
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The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments (共著) 2017/10
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179.
|
その他
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清浄表面および水素終端化Si(001)表面上に形成した極薄非晶質Si層の中エネルギーイオンビーム照射による再結晶化レートと界面水素量依存性 (共著) 2017/09
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180.
|
その他
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Chemical cleaning effect on metallic multilayer electrodes prepared for ohmic property measurements of n-type diamond substrates (共著) 2016/12
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181.
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その他
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CTプローブを用いた高空間分解能CL/PL複合評価のための光学系の作製 (共著) 2016/12
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182.
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その他
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Siへの高温低エネルギー酸素イオン注入法による超極薄SOI構造形成の研究 (共著) 2016/12
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183.
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その他
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Tiイオン注入によるn型ダイヤモンド半導体基板へのオーミック電極構造形成 (共著) 2016/12
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184.
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その他
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パタン化されたSOI構造形成に向けた電子ビーム蒸着Si層のホモエピタキシャル成長条件の検討 (共著) 2016/12
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185.
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その他
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Synthesis of an ultrathin Si layer separated by a buried oxide formed by O+ implantaion in Si(001) substrate (共著) 2015/12
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186.
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その他
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Growth mechanism of cobalt clusters on flat and defect-induced highly-oriented pyrolytic graphite suraces (共著) 2015/09
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187.
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その他
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Arイオン照射によるダイヤモンド半導体用オーミック電極の形成 (共著) 2015/03
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188.
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その他
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Arイオン照射によるダイヤモンド半導体用オーミック電極の形成 (共著) 2014/12
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189.
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その他
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Formation of SOI structure by ultrahigh-temperature oxygen implantation (共著) 2014/12
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190.
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その他
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Si基板中への高温酸素イオン注入により形成したSOI構造の評価 (共著) 2014/12
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191.
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その他
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真空一貫プロセスによるCNT成鳥用金属ナノ粒子形成法の研究 (共著) 2014/12
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192.
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その他
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Formation of SIMOX-SOI structure by high-temperature oxygen implantation (共著) 2014/09
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193.
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その他
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Si基板中への高温酸素イオン注入により形成したSOI構造の評価 (共著) 2014/09
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194.
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その他
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STM、RHEEDによるCo/Graphite表面観察 (共著) 2012/12
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195.
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その他
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ダイヤモンド半導体の電気特性評価のための電極構造の検討 (共著) 2012/12
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196.
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その他
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密度汎関数法によるダイヤモンド半導体中の不純物準位の計算 (共著) 2012/12
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197.
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その他
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マイクロ波プラズマCVDによるCNTの低温成長 (共著) 2012/12
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198.
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その他
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高温イオン注入したFe触媒からの熱フィラメントCVDによるCNT成長 (共著) 2012/12
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199.
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その他
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Analysis of depth redistibution of implanted Fe near SiO2/Si interface (共著) 2012/10
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200.
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その他
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Low temperature growth of SWCNT by microwave-plasma-enhanced CVD from hot-ion-implanted catalysts (共著) 2012/09
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201.
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その他
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高温イオン注入したFe触媒微粒子からの熱フィラメントCVDによるCNTの低温成長 (共著) 2012/09
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202.
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その他
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マイクロ波プラズマCVDによるイオン注入形成FeクラスターからのCNTの低温成長 (共著) 2012/03
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203.
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その他
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SiO2/Si膜中へイオン注入されたFeの拡散・反応過程の研究 (共著) 2011/12
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204.
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その他
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SiO2/Si膜中へイオン注入されたFeの拡散・反応過程の研究 (共著) 2011/12
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205.
|
その他
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STM, RHEEDによるCo/Graphite表面観察 (共著) 2011/12
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206.
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その他
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ダイヤモンド半導体電気測定のための電極構造の検討 (共著) 2011/12
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207.
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その他
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水素プラズマによるSiO2/Siエッチング効果のRBS-ERDA分析 (共著) 2011/12
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208.
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その他
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マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド薄膜の分析評価 (共著) 2011/12
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209.
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その他
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SiO2/Si中へイオン注入されたFeの拡散・反応過程の研究 (共著) 2011/09
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210.
|
その他
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SiO2膜中への高温イオン注入により形成したFeナノ微粒子からの単層カーボンナノチューブ成長 (共著) 2011/09
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211.
|
その他
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高温Feイオン注入形成微粒子からのマイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ成長 (共著) 2011/09
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212.
|
その他
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高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのCoクラスターの形成と評価およびCVD法によるカーボンナノチューブ成長 (共著) 2011/09
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213.
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その他
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Carbon nanotube growth from Fe nanoparticle formed by hot-ion-implantation into the SiO2/Si interface (共著) 2011/05
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214.
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その他
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単一半導体を用いた新ソースへテロ構造の検討:歪みSi層の緩和メカニズム (共著) 2011/03
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215.
|
その他
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ダイヤモンドIb基板のホール効果測定法による電気的評価 (共著) 2010/12
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216.
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その他
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低速電子線回折・走査型トンネル顕微鏡を用いたSi・グラファイト表面観察 (共著) 2010/12
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217.
|
その他
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ホットイオン注入形成微粒子を種触媒とするCNT生成法の研究 (共著) 2010/12
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218.
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その他
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イオン注入法を用いたカーボンナノチューブの種触媒微粒子の形成と断面TEM、RBSによる評価の研究 (共著) 2010/12
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219.
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その他
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高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのCoクラスター形成と断面TEM観察を中心とした評価の研究 (共著) 2010/12
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220.
|
その他
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高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのFe微粒子形成とRBS・TEMによる評価の研究 (共著) 2010/12
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221.
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その他
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ラザフォード後方散乱法によるダイヤモンド基板上に成長したAu/TiおよびAu/Pt/Ti電極の熱的安定性評価 (共著) 2010/11
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222.
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その他
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SiC{0001} 表面上のNiシリサイド反応によるグラフェン層の形成 (共著) 2010/09
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223.
|
その他
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ホットイオン注入形成微粒子を種触媒とするCNT生成法の研究 (共著) 2010/09
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224.
|
その他
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高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのFeクラスター形成と評価の研究 (共著) 2010/09
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225.
|
その他
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ダイヤモンド基板上に形成したAu/TiおよびAu/Pt/Ti膜のRBS分析 (共著) 2010/03
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226.
|
その他
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ホットイオン注入形成Fe微結晶粒子を種触媒とするCNT生成法の研究 (共著) 2010/03
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227.
|
その他
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RBS analysis of Au/(Pt)/Ti multilayer grown on C(001) surfaces (共著) 2009/12
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228.
|
その他
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中電流型イオン注入装置を用いた CNT 形成法について (共著) 2009/12
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229.
|
その他
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ホモエピタキシャルマイクロ波プラズマCVDダイヤモンド薄膜の各種分析評価 (共著) 2009/12
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230.
|
その他
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Elemental depth profiles of Au/Pt/Ti films grown on diamond (001) surface studied by Rutherford backscattering spectroscopy (共著) 2009/11
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231.
|
その他
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Elemental depth profiles of Au/Pt/Ti films grown on diamond (001) surface studied by Rutherfored backscattering spectroscopy (共著) 2009/11
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232.
|
その他
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Narrow nuclear resonance profiling and stable isotopic tracing study of the diffusion and reaction of carbon monoxide moleclues in thermal silica and at its interface with silicon (共著) 2009/11
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233.
|
その他
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Narrow Nuclear Resonance Profiling and Stable Isotopic Tracing Study of the Diffusion and Reaction of Carbon Monoxide Molecules in Thermal Siclica and at its Interface with Silicon (共著) 2009/11
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234.
|
その他
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ホモエピタキシャルマイクロ波プラズマCVDダイヤモンド薄膜の各種分析評価 (共著) 2009/11
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235.
|
その他
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Atomic and Electronic Structure of Au/Si(111) Determined by MEIS and SR-PES (共著) 2008/10
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236.
|
その他
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Isotopic tracing study of the growth of silicon carbide nano-crystals at the SiO2/Si interface by CO annealing (共著) 2008/10
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237.
|
その他
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Si(111) 7×7表面上における極薄Auの成長過程 (共著) 2008/09
|
238.
|
その他
|
清浄および室温酸化したSiC(0001)-3×3 表面の構造 (共著) 2008/09
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239.
|
その他
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NiAl(110)上に形成された極薄Al2Ox膜の構造解析 (共著) 2008/03
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240.
|
その他
|
中エネルギーH、Heイオンの固体最表面での荷電変換 (共著) 2008/03
|
241.
|
その他
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中エネルギーイオン散乱スペクトルの非対称性 (共著) 2008/03
|
242.
|
その他
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The structures of clean and oxygen- and nitrogen- adsorbed 6H-SiC{0001} 3×3 surfaces (共著) 2007/10
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243.
|
その他
|
6H-SiC{0001} 3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造の研究 (共著) 2007/09
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244.
|
その他
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Ni(111)およびPd(111)上の極薄Au膜成長とO2,NOの吸着 (共著) 2007/09
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245.
|
その他
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Surface characterization of reconstructed 6H-SiC(000-1) and adsorbed structure of oxygen (共著) 2007/09
|
246.
|
その他
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中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAl(110)表面構造解析 (共著) 2007/09
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247.
|
その他
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6H-SiC(000-1)-C終端3×3表面の構造と電子状態 (共著) 2007/03
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248.
|
その他
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SiC(000-1)-C-3×3表面の構造と電子状態 (共著) 2006/09
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249.
|
その他
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SiC(11-20) 清浄表面の酸窒化過程; 界面の構造とキネティクス (共著) 2006/09
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250.
|
その他
|
Ni(0.2-20ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析 (共著) 2006/03
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251.
|
その他
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Atomic and Electronic Structures of Ni Deposited on Si(111) at room temperature and Epitaxially Grown B-type NiSi2(111)/Si(111) (共著) 2005/12
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252.
|
その他
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中エネルギーHeイオンの結晶表面での荷電変換過程 (共著) 2005/09
|
253.
|
その他
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極薄Ni/SiC(000-1)表面における2√3×2√3 構造の解析 (共著) 2005/09
|
254.
|
その他
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極薄Ni/SiC(0001)表面における擬3×1構造の解析 (共著) 2005/09
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255.
|
その他
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極薄 Ni 蒸着した6H-SiC( 0001 )-2×2 表面の構造 (共著) 2005/09
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256.
|
その他
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Atomic and electronic structures of ultrathin-Ni-deposited SiC(000-1)-2×2 surface (共著) 2005/06
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257.
|
その他
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極薄Ni/6H-SiC(0001)表面の原子配列と電子状態(I) (共著) 2005/03
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258.
|
その他
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極薄Ni/SiC(000-1)表面の原子配列と電子状態(II) (共著) 2005/03
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259.
|
その他
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第一原理計算による6H-SiC(000-1)-2×2表面構造と電子状態 (共著) 2005/03
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260.
|
その他
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SiC(000-1)- 2×2表面構造と初期酸化カイネティクス (共著) 2004/10
|
261.
|
その他
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6H-SiC(000-1)-2×2 Si-rich清浄表面の構造 (共著) 2004/09
|
262.
|
その他
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First-Principles Calculations of Si-rich 2×2 Reconstruction and Oxidation of the C-terminated 6H-SiC(000-1) (共著) 2004/09
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263.
|
その他
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Ni-silicide反応に伴うSiの表面偏析 (共著) 2004/09
|
264.
|
その他
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Surface structure and oxidation mechanism for Si-rich 6H-SiC(000-1) 2×2 surface (共著) 2004/09
|
265.
|
その他
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低,及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果 (共著) 2004/09
|
266.
|
その他
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極薄Niと6H-SiC(0001)の界面反応過程 (共著) 2004/09
|
267.
|
その他
|
Dynamic Response of Target Electrons upon Low and Medium Energy Ion Impact (共著) 2004/07
|
268.
|
その他
|
Oxidized Surface Structure and Oxidation Kinetics for C-terminated 6H-SiC(000-1) (共著) 2004/05
|
269.
|
その他
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6H-SiC(000-1)-2×2 表面構造と初期酸化過程 (共著) 2004/03
|
270.
|
その他
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6H-SiC(0001) √3×√3表面上における極薄Ni膜のエピタキシャル成長 (共著) 2003/12
|
271.
|
その他
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Interfacial reactions between ultrathin Ni-layer and 6H-SiC(0001) surface (共著) 2003/11
|
272.
|
その他
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Epitaxial growth of ultrathin Ni-layer on 6H-SiC(0001) surface (共著) 2003/10
|
273.
|
その他
|
6H-SiC(0001) √3×√3表面上における極薄Ni膜のエピタキシャル成長 (共著) 2003/09
|
274.
|
その他
|
熱処理による極薄Ni/SiC(0001)界面の初期反応過程 (共著) 2003/09
|
275.
|
その他
|
Inelastic energy loss and spectrum shape for medium energy He ions undergoing a large-angle single collision with Si(111)-R3xR3-Sb (共著) 2003/06
|
276.
|
その他
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Initial oxidation of 6H-SiC(11-20) surface studied by high-resolution MEIS and SR-PES (共著) 2003/06
|
277.
|
その他
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6H-SiC(11-20)表面の初期酸化過程 (共著) 2003/03
|
278.
|
その他
|
Charge exchange for medium energy He and Ne ions in a large-angle collision at solid surfaces (共著) 2002/11
|
279.
|
その他
|
Initial Oxidation of 6H-SiC(0001)-√3×√3 Surface Studied by Medium Energy Ion Scattering Combined with SR Photoelectron Spectroscopy (共著) 2002/11
|
280.
|
その他
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Surface Structure and Initial Oxidation of 6H-SiC(11-20) (共著) 2002/11
|
281.
|
その他
|
Surface structure of 6H-SiC(11-20) studied by medium energy ion scattering and SR-light- induced photoelectron spectroscopy (共著) 2002/11
|
282.
|
その他
|
6H-SiC(11-20)表面の表面構造と初期酸化過程 (共著) 2002/09
|
283.
|
その他
|
KI(001)及びRbI(001)表面格子ダイナミクスの高分解能イオン散乱による解析 (共著) 2002/09
|
284.
|
その他
|
Ni(1ML)/SiC(0001)の熱処理による構造変化 (共著) 2002/09
|
285.
|
その他
|
動的原子間ポテンシャル-入射イオン誘起分極効果 (共著) 2002/09
|
286.
|
その他
|
中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光による6H-SiC(0001)-√3×√3表面初期酸化過程の研究 (共著) 2002/03
|
287.
|
その他
|
中エネルギーイオン散乱法と分子動力学計算によるKI(001)表面格子振動特性の解析 (共著) 2002/03
|
288.
|
その他
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単回・大角散乱におけるHe,Neイオンの荷電変換 (共著) 2002/03
|
289.
|
その他
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熱処理に伴うNi(1ML)/Si(111)-7×7構造変化過程の原子間力顕微鏡,イオン散乱,光電子分光法による研究 (共著) 2002/03
|
290.
|
その他
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単回・大角散乱における中エネルギーHeイオンの荷電変換 (共著) 2001/12
|
291.
|
その他
|
中エネルギーHeイオンの大角・単回衝突後の荷電変換 (共著) 2001/09
|
292.
|
その他
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中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(001)-2×1表面初期酸化過程の研究 (共著) 2001/09
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293.
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その他
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中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるRbI(001)表面振動相関の検証 (共著) 2001/09
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294.
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その他
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中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(001)-2×1表面初期酸化過程の研究 (共著) 2000/11
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295.
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その他
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Si(111)-7x7 初期酸化過程の中エネルギーイオン散乱・光電子分光分析 (共著) 2000/09
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296.
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その他
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中エネルギーHeイオン散乱分光スペクトルに現れる異常表面ピークの解析 (共著) 2000/09
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297.
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その他
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中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(001)-2×1表面の初期酸化過程の解明 (共著) 2000/09
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298.
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その他
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イオン散乱分析と分子動力学計算による RbI(001)表面構造解析 (共著) 2000/09
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299.
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その他
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Oxidation process for Si(111) 7x7 surfaces analyzed in-situ by synchrotron-radiation-induced photoemission and medium energy ion scattering (共著) 2000/08
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300.
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その他
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中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(111)-7×7表面初期酸化過程の研究 (共著) 2000/03
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301.
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その他
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高分解能中エネルギーイオン散乱によるTiC(001)及びTaC(001)表面の緩和とランプリングの決定 (共著) 1999/09
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