研究者情報 - 星野　靖

（最終更新日：2021-10-06 15:22:22）

  ホシノ　ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野　靖
   所属   神奈川大学理学部数理・物理学科

職種助教

■ 学会発表

1.	2021/03/12	エマルジョン暗黒物質探索実験NEWSdm(3)～低バックグラウンド化へ向けた結晶感度の温度依存性評価～（日本物理学会第76回年次大会 12pV3）
2.	2021/01/12	Bイオン注入によるCVDダイヤモンド薄膜中への低補償率p型伝導層の形成（第34回ダイヤモンドシンポジウム）
3.	2020/12/11	超微粒子原子核乾板NITにおける荷電粒子のエネルギー損失量と速度に対する潜像形成効率（日本写真学会オンライン秋季大会）
4.	2020/12/05	Energy dependence of nanostructure formation by fast C60 cluster ion beam on Si（第21回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会）
5.	2020/12/04	Crystallization of thin amorphous Si layer by electron or ion beam irradiation: effect of electronic energy deposition（第21回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会）
6.	2020/09/16	低速イオンを用いたAgBr:Iナノ半導体発光の研究（日本物理学会　2020年秋季大会）
7.	2020/09/08	C60クラスターイオンビーム照射によるSi表面構造の形成（2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会）
8.	2020/09/08	RBS 法による膜厚測定から求めた高エネルギータングステンの自己スパッタリング収率の測定（2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会）
9.	2020/03/13	イオンビームによる薄膜・表面の構造組成分析（第67回応用物理学会春季講演会　シンポジウム: 量子ビームによる表面物性・構造解析の新展開）
10.	2019/12/18	CO熱拡散によるSiO2/Si界面へのSiCナノ微結晶粒子の形成（第38回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
11.	2019/12/18	P, Oイオン注入室温 ,900℃ とポストアニール(1150℃)によって形成したIIa型CVDダイヤモンドの電気特性（第38回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
12.	2019/12/18	Si単結晶基板表面に形成した非晶質Si層の結晶化メカニズム ―EBIECとIBIECの比較―（第38回法政大学イオン工学研究所シンポジウム）
13.	2019/12/18	全面SiO2層に向けた電子衝突蒸着Si層の結晶成長条件の検討（第38回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
14.	2019/12/18	室温11B+イオン注入及び1150°C,1300°Cアニール処理によるIIa型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング（第38回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
15.	2019/11/13	室温¹¹B⁺イオン注入及び1150°C,1300°Cアニール処理によるIIa型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング（第３３回ダイヤモンドシンポジウム）
16.	2019/03/20	C60クラスターイオンビームを照射したSiとGeの表面構造評価（日本金属学会2019年春季講演大会）
17.	2019/03/16	最先端の物理的・化学的手法から探る凝縮相の放射線分解・反応ダイナミクス　ーまとめー（2019年　日本物理学会年会領域１合同シンポジウム）
18.	2018/12/11	C60クラスターイオンビームを照射したSiとGeの表面構造評価（QST高崎サイエンスフェスタ2018）
19.	2018/12/08	Sputtering yield of thin Si(100) film impinged by monoatomic and diatomic nitrogen ions（第１９回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会）
20.	2018/12/08	The epitaxial growth of deposited amorphous Si layer on hydrogen-terminated surfaces using ion beam induced epitaxial crystallization with ion beam mixing（第１９回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会）
21.	2018/12/05	SiC単結晶基板の酸素イオン注入による埋め込み絶縁層の形成（II）（第37回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
22.	2018/12/05	ｎ型ドーパントイオン注入したダイヤモンド半導体の電気的活性化（第37回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
23.	2018/12/05	水素終端単結晶Si基板上へ堆積した非晶質Si層のイオンビームミキシングを伴ったイオンビーム誘起低温結晶成長（第37回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
24.	2018/12/05	高温（1000℃）Bイオン注入したIIaタイプCVDダイヤモンド基板の電気特性（第37回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
25.	2018/11/15	高温(1000C)Bイオン注入したIIaタイプCVDダイヤモンド基板の電気特性（第32回ダイヤモンドシンポジウム）
26.	2018/09	The remarkable p-type carrier transport induced by 1000C B and C ion implantation into the IIa diamond substrates followed by 1150C annealing（29-th International Conference of Diamond and Carbon Materials）
27.	2018/07/03	Formation of nano-porous surface structures by fast C60 beam bombardments（28th International Conference on Atomic Collision in Solids）
28.	2018/07/03	The sputtering yield of crystalline Si(100) surface by monoatomic and diatomic nitrogen ions impact（28th International Conference on Atomic Collision in Solids）
29.	2018/06	The epitaxial growth of deposited amorphous Si layer on hydrogen-terminated surfaces using ion beam mixing treatment（21st International Conference on Ion Beam modification of Materials）
30.	2018/02/09	イオン散乱による薄膜・表面の深さ方向定量分析（平成 29 年度関西支部セミナー　～イオンビームによる物性研究の新展開～）
31.	2017/12	CTプローブを用いた単一SiC微結晶のSTM発光分光のための試料作製（第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
32.	2017/12	n型ダイヤモンド半導体基板におけるオーミック電極構造の簡略化（第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
33.	2017/12	SiC単結晶基板の酸素イオン注入による埋込絶縁層の形成（第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
34.	2017/12	Si基板上に形成されたパタンSiO2膜をマスクにした酸素イオン注入（第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
35.	2017/12	パタン化されたSOI構造形成に向けた電子衝突蒸着Si層のホモエピタキシャル成長条件の検討（第36回法政大学イオンビーム研究所シンポジウム）
36.	2017/11/05	C60クラスターイオンビーム照射によるナノファイバー直径の制御（高知工科大学総合研究所ナノテク研シンポジウム2017）
37.	2017/11	1000C高温イオン注入したIIaダイヤモンド基板の1150C熱処理後の著しい電気特性改善（第31回ダイヤモンドシンポジウム）
38.	2017/10	Depth profiling of interfacial fluctuation with nanometer order in ultrathin silicon-on-insulator structure（The 23rd International Conference on Ion Beam Analysis）
39.	2017/10	The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments（The 23rd International Conference on Ion Beam Analysis）
40.	2017/09	Bイオンを用いたMeV級古典RBS法によるナノメートルオーダ界面揺らぎの定量解析（日本物理学会講演番号：23aA18-4）
41.	2017/09	Substrate temperatures dependence during B⁺-implantation for electrical and optical properties in forming p-type diamond（2017 International Conference on Diamond and Carbon Materials）
42.	2017/09	清浄表面および水素終端化Si(001)表面上に形成した極薄非晶質Si層の中エネルギーイオンビーム照射による再結晶化レートと界面水素量依存性（応用物理学会　学術講演会講演番号：7a-C21-13）
43.	2016/12	Chemical cleaning effect on metallic multilayer electrodes prepared for ohmic property measurements of n-type diamond substrates（第17回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会）
44.	2016/12	CTプローブを用いた高空間分解能CL/PL複合評価のための光学系の作製（第35回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
45.	2016/12	Siへの高温低エネルギー酸素イオン注入法による超極薄SOI構造形成の研究（第35回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
46.	2016/12	Tiイオン注入によるn型ダイヤモンド半導体基板へのオーミック電極構造の形成（第35回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
47.	2016/12	パタン化されたSOI構造形成に向けた電子ビーム蒸着Si層のホモエピタキシャル成長条件の検討（第35回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
48.	2015/12	Synthesis of an ultrathin Si layer separated by a buried oxide formed by O+ implantation in Si(001) substrates（第16回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会）
49.	2015/09	Growth mechanism of cobalt clusters on flat and defect-induced highly-oriented pyrolytic graphite surfaces（International Conference on Diamond and Carbon Materials）
50.	2015/03	Arイオン照射によるダイヤモンド半導体用オーミック電極の形成（応用物理学会学術講演会講演番号：11p-A21-1）
51.	2014/12	Arイオン照射によるダイヤモンド半導体用オーミック電極の形成（第33回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
52.	2014/12	Formation of SOI structure by ultrahigh-temperature oxygen implantation（第15回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会）
53.	2014/12	Si基板中への高温酸素イオン注入により形成したSOI構造の評価（第33回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
54.	2014/12	真空一貫プロセスによるCNT成長用金属ナノ粒子形成法の研究（第33回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム 2014年12月）
55.	2014/09	Formation of SIMOX-SOI structure by high-temperature oxygen implantation（19th International Conference on Ion Beam Modification of Materials）
56.	2014/09	Si基板中への高温酸素イオン注入により形成したSOI構造の評価（応用物理学会学術講演会講演番号：18p-A14-18）
57.	2013/12	神奈川大学イオン加速器の現状－炭素・シリコン系材料の高機能化の研究－（第14回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会）
58.	2012/12	STM, RHEEDによるCo/Graphite表面観察（第31回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
59.	2012/12	ダイヤモンド半導体の電気特性評価のための電極構造の検討（第31回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
60.	2012/12	密度汎関数法によるダイヤモンド半導体中の不純物準位の計算（第31回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
61.	2012/12	マイクロ波プラズマCVDによるCNTの低温成長（第31回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
62.	2012/12	高温イオン注入したFe触媒からの熱フィラメントCVDによるCNT成長（第31回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
63.	2012/10	Analysis of depth redistribution of implanted Fe near SiO2/Si interface（International Conference on Highly Swift Ion Beam）
64.	2012/09	Low temperature growth of SWCNT by microwave- plasma-enhanced CVD from hot- ion-implanted catalysts（International Conference on Diamond and Carbon Materials）
65.	2012/09	高温イオン注したFe触媒微粒子からの熱フィラメントCVDによるCNTの低温成長（応用物理学会学術講演会講演番号：11p-C2-4）
66.	2012/03	マイクロ波プラズマCVDによるイオン注入形成FeクラスターからのCNTの低温成長（応用物理学会学術講演会講演番号：15a-A3-5）
67.	2011/12	SiO2/Si膜中へイオン注入されたFeの拡散・反応過程の研究（第30回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
68.	2011/12	SiO2/Si膜中へイオン注入されたFeの拡散・反応過程の研究（第12回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会 [東京大学]）
69.	2011/12	STM, RHEEDによるCo/Graphite表面観察（第30回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
70.	2011/12	ダイヤモンド半導体電気測定のための電極構造の検討（第25回ダイヤモンドシンポジウム [産業技術総合研究所]）
71.	2011/12	水素プラズマによるSiO2/Siエッチング効果のRBS -ERDA分析（第12回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会 [東京大学]）
72.	2011/12	マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド薄膜の分析評価（第30回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
73.	2011/09	SiO2/Si中へイオン注入されたFeの拡散・反応過程の研究（日本物理学会秋季講演会 [富山大学] 講演番号：22aGQ-12）
74.	2011/09	SiO2膜中への高温イオン注入により形成したFeナノ微粒子からの単層カーボンナノチューブ成長（日本物理学会秋季講演会 [富山大学] 講演番号：23pSB-31）
75.	2011/09	高温Feイオン注入形成微粒子からのマイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ成長（応用物理学会学術講演会 [山形大学] 講演番号：1aZF-7）
76.	2011/09	高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのCoクラスターの形成と評価及びCVD法によるカーボンナノチューブ成長（応用物理学会学術講演会 [山形大学] 講演番号：1aZF-8）
77.	2011/05	Carbon nanotube growth from Fe nanoparticle formed by hot-ion-implantation into the SiO2/Si interface（European Materials Research Society 2011 Spring Meeting [Nice, FRANCE]）
78.	2011/03	単一半導体を用いた新ソースヘテロ構造の検討：歪みSi層の緩和メカニズム（応用物理学会学術講演会 [神奈川工科大学] 講演番号：26aKD-12）
79.	2010/12	ダイヤモンドIb基板のホール効果測定法による電気的評価（第29回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
80.	2010/12	低速電子線回折・走査型トンネル顕微鏡を用いたSi・グラファイト表面観察（第29回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
81.	2010/12	ホットイオン注入形成微粒子を種触媒とするCNT生成法の研究（第29回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
82.	2010/12	イオン注入法を用いたカーボンナノチューブの種触媒微粒子の形成と断面TEM、RBSによる評価の研究（第11回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会 [名城大学]）
83.	2010/12	高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのCoクラスター形成と断面TEM観察を中心とした評価の研究（第29回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
84.	2010/12	高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのFe微粒子の形成とRBS・TEMによる評価の研究（第29回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
85.	2010/11	ラザフォード後方散乱法によるダイヤモンド基板上に成長したAu/TiおよびAu/Pt/Ti電極の熱的安定性評価（第24回ダイヤモンドシンポジウム [東京工業大学]）
86.	2010/09	SiC{0001} 表面上のNi シリサイド反応によるグラフェン層の形成（応用物理学会学術講演会 [長崎大学] 講演番号：16aZM-6）
87.	2010/09	ホットイオン注入形成微粒子を種触媒とするCNT生成法の研究（応用物理学会学術講演会 [長崎大学] 講演番号：17aZQ-10）
88.	2010/09	高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのFeクラスター形成と評価の研究（応用物理学会学術講演会 [長崎大学] 講演番号：17aZQ-9）
89.	2010/03	ダイヤモンド基板上に形成したAu/TiおよびAu/Pt/Ti膜のRBS分析（応用物理学会学術講演会 [東海大学] 講演番号：18pTV-5）
90.	2010/03	ホットイオン注入形成Fe微結晶粒子を種触媒とするCNT生成法の研究（応用物理学会学術講演会 [東海大学] 講演番号：18aTE-5）
91.	2009/12	RBS analysis of Au/(Pt)/Ti-multilayer grown on C(001) surfaces（第28回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
92.	2009/12	中電流型イオン注入装置を用いたCNT形成法について（第28回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
93.	2009/12	ホモエピタキシャルマイクロ波プラズマCVDダイヤモンドﾞ薄膜の各種分析評価（第28回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム）
94.	2009/11	Elemental depth profiles of Au/Pi/Ti films grown on diamond (001) surface studied by Rutherford backscattering spectroscopy（5th International Workshop on High-Resolution Depth Profiling）
95.	2009/11	Narrow Nuclear Resonance Profiling and Stable Isotopic Tracing Study of the Diffusion and Reaction of Carbon Monoxide Molecules in Thermal Silica and at its Interface with Silicon（5th International Workshop on High-Resolution Depth Profiling）
96.	2009/11	ホモエキタキシャルマイクロ波プラズマCVDダイヤモンド薄膜の各種分析評価（第23回ダイヤモンドシンポジウム [千葉]）
97.	2008/10	Atomic and Electronic Structure of Au/Si(111) Determined by MEIS and SR-PES（8th Janan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces）
98.	2008/10	Isotopic tracing study of the growth of silicon carbide nano-crystals at the SiO2/Si interface by CO annealing（Ion Beam Analysis France）
99.	2008/09	NiAl(110)上に形成された極薄Al2Ox膜の構造解析（日本物理学会春季講演会 [近畿大学] 講演番号：25pTE-8）
100.	2008/09	Si(111) 7×7表面上における極薄Auの成長過程（日本物理学会秋季講演会 [岩手大学] 講演番号：23aXB-4）
101.	2008/09	清浄および室温酸化したSiC(000-1)-3×3 表面の構造（日本物理学会秋季講演会 [岩手大学] 講演番号：23aXB-6）
102.	2008/03	中エネルギーH、Heイオンの固体最表面での荷電変換（日本物理学会春季講演会 [近畿大学] 講演番号：23aRB-6）
103.	2008/03	中エネルギーイオン散乱スペクトルの非対称性（日本物理学会春季講演会 [近畿大学] 講演番号：23aRB-7）
104.	2007/09	6H-SiC{0001} 3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造の研究（日本物理学会秋季講演会 [北海道大学] 講演番号：22aXJ-11）
105.	2007/09	Ni(111)およびPd(111)上の極薄Au膜成長とO2, NOの吸着（日本物理学会秋季講演会 [北海道大学] 講演番号：21aXJ-2）
106.	2007/09	Surface characterization of reconstructed 6H-SiC (000-1) and adsorbed structure of oxygen（9th European Conference on Surface Crystallography and Dynamics）
107.	2007/09	The structures of clean and oxygen- and nitrogen- adsorbed 6H-SiC{0001} 3×3 surfaces（International Conference on Silicon Carbide and Related Materials）
108.	2007/09	中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAl(110)表面構造解析（日本物理学会秋季講演会 [北海道大学] 講演番号：21aXJ-8）
109.	2007/03	6H-SiC(000-1)-C終端3×3表面の構造と電子状態（日本物理学会春季講演会 [鹿児島大学] 講演番号：21pTG-6）
110.	2006/09	SiC(000-1)-C-3×3表面の構造と電子状態（日本物理学会秋季講演会 [千葉大学] 講演番号：26aYC-9）
111.	2006/09	SiC(11-20) 清浄表面の酸窒化過程; 界面の構造とキネティクス（日本物理学会秋季講演会 [千葉大学] 講演番号：26aYC-10）
112.	2006/03	Ni(0.2-20ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析（日本物理学会春季講演会 [愛媛大学] 講演番号：27aYB-5）
113.	2005/12	Atomic and Electronic Structures of Ni Deposited on Si(111) at room temperature and Epitaxially Grown B-type NiSi2(111)/ Si(111)（5th International. Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices）
114.	2005/09	中エネルギーHeイオンの結晶表面での荷電変換過程（日本物理学会秋季講演会 [同志社大学] 講演番号：19aYA-6）
115.	2005/09	極薄Ni/SiC(000-1)表面における 2R3x2R3 構造の解析（日本物理学会秋季講演会 [同志社大学] 講演番号：22pYE-2）
116.	2005/09	極薄Ni/SiC(000-1)表面における擬3×1構造の解析（日本物理学会秋季講演会 [同志社大学] 講演番号：22pYE-1）
117.	2005/09	極薄Ni 蒸着した6H-SiC(000-1)-2×2 表面の構造（日本学術振興会マイクロビームアナリシス141 委員会第121回研究会）
118.	2005/06	Atomic and electronic structures of ultrathin-Ni- deposited SiC(000-1)-2×2 surface（17th International Conference of Ion Beam Analysis）
119.	2005/03	極薄Ni/6H-SiC(000-1)表面の原子配列と電子状態(I)（日本物理学会春季講演会 [東京理科大学] 講演番号：27aWB-2）
120.	2005/03	極薄Ni/SiC(000-1)表面の原子配列と電子状態(II)（日本物理学会春季講演会 [東京理科大学] 講演番号：27aWB-3）
121.	2005/03	第一原理計算による6H-SiC(000-1) -2×2表面構造と電子状態（日本物理学会春季講演会 [東京理科大学] 講演番号：27aWB-1）
122.	2004/10	SiC(000-1)-2×2表面構造と初期酸化カイネティクス（シリコンカーバイド及びワイドギャップ半導体研究会 [名古屋]）
123.	2004/09	6H-SiC(000-1)-2×2 Si-rich清浄表面の構造（日本物理学会秋季講演会 [青森大学] 講演番号：15pXG-1）
124.	2004/09	First-Principles Calculations of Si-rich 2×2 Reconstruction and Oxidation of the C-terminated 6H-SiC(000-1)（5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials）
125.	2004/09	Ni-silicide反応に伴うSiの表面偏析（日本物理学会秋季講演会 [青森大学] 講演番号：14pXG-1）
126.	2004/09	Surface structure and oxidation mechanism for Si-rich 6H-SiC(000-1) 2×2 surface（5th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials）
127.	2004/09	低，及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果（日本物理学会秋季講演会 [青森大学] 講演番号：13aTG-9）
128.	2004/09	極薄Niと6H-SiC(000-1)の界面反応過程（日本物理学会秋季講演会 [青森大学] 講演番号：15pXG-2）
129.	2004/07	Dynamic Response of Target Electrons upon Low and Medium Energy Ion Impact（21st Int. Natl. Conf. on Atomic Collisions in Solids）
130.	2004/05	Oxidized surface structure and oxidation kinetics for C-terminated 6H-SiC(000-1)（日本学術振興会マイクロビームアナリシス141 委員会第116回研究会）
131.	2004/03	6H-SiC(000-1)-2×2 表面構造と初期酸化過程（日本物理学会春季講演会 [九州大学] 講演番号：28aWP-3）
132.	2003/12	6H-SiC(0001) R3xR3 表面上における極薄Ni膜のエピタキシャル成長（第4回イオンビームよる表面・界面解析特別研究会 [理化学研究所(和光)]）
133.	2003/11	Interfacial reactions between ultrathin Ni-layer and 6H-SiC(0001) surface（7th International Conference on Atomically Controlled surfaces, Interfaces and Nanostructures）
134.	2003/10	Epitaxial growth of ultrathin Ni-layer on 6H-SiC(0001) surface（4th International Symposium on Atomic Level Characterization for New Material and Devices）
135.	2003/09	6H-SiC(0001) R3xR3 表面上における極薄Ni膜のエピタキシャル成長（日本物理学会秋季講演会 [岡山大学] 講演番号：22aYD-5）
136.	2003/09	熱処理による極薄Ni/SiC(0001)界面の初期反応過程（日本物理学会秋季講演会 [岡山大学] 講演番号：22aYD-6）
137.	2003/06	Inelastic energy loss and spectrum shape for medium energy He ions undergoing a large-angle single collision with Si(111) -Sb（16th International Conference of Ion Beam Analysis）
138.	2003/06	Initial oxidation of 6H-SiC(11-20) surface studied by high-resolution MEIS and SR-PES（16th International Conference of Ion Beam Analysis）
139.	2003/03	6H-SiC(11-20)表面の初期酸化過程（日本物理学会春季講演会 [東北大学] 講演番号：29aZF-1）
140.	2002/11	Charge exchange for medium energy He and Ne ions in a large-angle collision at solid surfaces（2nd International Workshop on Ion Beam Techniques for the Analysis of Composition and Structure with Atomic Layer Resolution）
141.	2002/11	Surface Structure and Initial Oxidation of 6H-SiC(11-20)（2nd International Workshop on Ion Beam Techniques for the Analysis of Composition and Structure with Atomic Layer Resolution）
142.	2002/11	Surface structure of 6H-SiC(11-20 ) studied by medium energy ion scattering and SR-light-induced photoelectron spectroscopy（8th Japan-Russia International Symposium on Interaction of Fast Charged Particles with Solids）
143.	2002/09	6H-SiC(11-20 )表面の表面構造と初期酸化過程（日本物理学会秋季講演会 [中部大学] 講演番号：8aSM-7）
144.	2002/09	KI(001)及びRbI(001)表面格子ダイナミクスの高分解能イオン散乱による解析（日本物理学会秋季講演会 [中部大学] 講演番号：6pWE-1）
145.	2002/09	Ni(1ML)/SiC(0001)の熱処理による構造変化（日本物理学会秋季講演会 [中部大学] 講演番号：8aSM-6）
146.	2002/09	動的原子間ポテンシャル-入射イオン誘起分極効果（日本物理学会秋季講演会 [中部大学] 講演番号：6aWE-5）
147.	2002/03	中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光による6H-SiC(0001)-R3xR3 表面初期酸化過程の研究（日本物理学会春季講演会 [立命館大学] 講演番号：27pYF-4）
148.	2002/03	中エネルギーイオン散乱法と分子動力学計算によるKI(001)表面格子振動特性の解析（日本物理学会春季講演会 [立命館大学] 講演番号：25pWD-2）
149.	2002/03	単回・大角散乱におけるHe，Neイオンの荷電変換（日本物理学会春季講演会 [立命館大学] 講演番号：24aZA-9）
150.	2002/03	熱処理に伴うNi(1ML)/Si(111)-7×7構造変化過程の原子間力顕微鏡，イオン散乱，光電子分光法による研究（日本物理学会春季講演会 [立命館大学] 講演番号：27pYF-11）
151.	2001/12	単回・大角散乱における中エネルギーHeイオンの荷電変換（イオンビームフォーラム21 [岡山理科大学]）
152.	2001/11	Initial Oxidation of 6H-SiC(0001)- Surface Studied by Medium Energy Ion Scattering Combined with SR Photoelectron Spectroscopy（3rd International Symposium on Atomic Level Characterization for New Material and Devices）
153.	2001/09	中エネルギーHeイオンの大角・単回衝突後の荷電変換（日本物理学会秋季講演会 [徳島文理大学] 講演番号：18aTF-10）
154.	2001/09	中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(001)-2×1表面初期酸化過程の研究（日本物理学会秋季講演会 [徳島文理大学]）
155.	2001/09	中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるRbI(001)表面振動相関の検証（日本物理学会秋季講演会 [徳島文理大学] 講演番号:17pWD-2,）
156.	2000/11	中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(001)-2×1表面初期酸化過程の研究（日本表面科学会関西薄膜・表面分析研究会）
157.	2000/09	Si(111)-7×7 初期酸化過程の中エネルギーイオン散乱・光電子分光分析（日本物理学会秋季講演会 [新潟大学] 講演番号：22aWB-13）
158.	2000/09	中エネルギーHeイオン散乱分光スペクトルに現れる異常表面ピークの解析（日本物理学会秋季講演会 [新潟大学] 講演番号：23pYN-3）
159.	2000/09	中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(001)-2×1表面の初期酸化過程の解明（日本物理学会秋季講演会 [新潟大学] 講演番号：22aWB-12）
160.	2000/09	イオン散乱分析と分子動力学計算による RbI(001)表面構造解析（日本物理学会秋季講演会 [新潟大学] 講演番号：22aWB-7）
161.	2000/08	Oxidation processes for Si(111) 7×7 surfaces analyzed in situ by synchrotron-radiation-induced photoemission and medium energy ion scattering（7th International Conference on Synchrotron Radiation Instrumentation）
162.	2000/03	中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(111)-7×7表面初期酸化過程の研究（日本表面科学会関西学生セッション [大阪大学]）
163.	1999/09	高分解能中エネルギーイオン散乱によるTiC(001)及びTaC(001)表面の緩和とランプリングの決定（日本物理学会秋季講演会　[岩手大学]　講演番号：27aY-9）
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■ 著書・論文歴

1.	論文	Extremely High-efficient Activation of Acceptor Boron Introduced by Ion Implantation at Room Temperature with Various Doping Concentrations in Epitaxially Synthesized Diamond Films by Chemical Vapor Deposition （共著） 2021/04
2.	論文	Schottky Barrier Diodes Fabricated on High-purity Type-IIa CVD Diamond Substrates using an All-ion-implantation Process （共著） 2021/04
3.	論文	IIa型CVDダイヤモンド基板にn型ドーパント元素をイオン注入しポストアニールによって形成した電気伝導層の電気特性（共著） 2020/11
4.	論文	Surface structure of Si irradiated by C60 cluster ion beams with different irradiation angles （共著） 2020/06
5.	論文	高速クラスタービームによる生命科学・表面界面工学への応用研究（共著） 2020/06
6.	論文	ELECTRICAL PROPERTIES OF DIAMOND FORMED BY P+ ION IMPLANTATION AT 900°C AND ROOM TEMPERATURE FOLLOWED BY 1150°C ANNEALING （共著） 2020/03
7.	論文	REALIZATION OF P-TYPE CONDUCTIVE LAYER ON TYPE IIA CVD DIAMOND BY B+ ION IMPLANTATION AT ROOM TEMPERATURE FOLLOWED BY 1150°C AND 1300°C ANNEALING （共著） 2020/03
8.	論文	Electrical properties and conduction mechanisms of heavily B-doped type IIa diamond formed by B ion implantation: effect of temperatures during ion implantation and postannealing upon electrical conduction （共著） 2020/02
9.	論文	The sputtering yield of crystalline Si(100) surface by monoatomic and diatomic nitrogen ions impact （共著） 2019/12
10.	論文	Remarkable p-type activation of heavily doped diamond accomplished by boron ion implantation at room temperature and subsequent annealing at relatively low temperatures of 1150 and 1300C （共著） 2019/08
11.	論文	Depth profiling of interfacial fluctuation with nanometer order in ultrathin silicon-on-insulator structure by classical Rutherford backscattering using ¹⁰B ions （共著） 2019/07
12.	論文	Formation of SiC Nanocrystals Aligned at the SiO2/Si Interface Aiming at Sample Preparation for Scanning Tunneling Luminescence Spectroscopy （共著） 2019/07
13.	論文	The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments （共著） 2019/07
14.	論文	物理学実験１における光の回折・干渉実験の実践例と応用（単著） 2019/07
15.	論文	Surface Structures on Ge and Si Irradiated with C60 Cluster Ion Beams （共著） 2019/06
16.	論文	THE EPITAXIAL GROWTH OF AMORPHOUS Si LAYER DEPOSITED ON HYDROGEN-TERMINATED SURFACES USING ION BEAM INDUCED EPITAXIAL CRYSTALLIZATION WITH ION BEAM MIXING （共著） 2019/03
17.	論文	THE FORMATION OF ULTRATHIN SiC LAYER BY OXYGEN AND SILICON IMPLANTATION INTO 4H-SiC(0001) SUBSTRATE （共著） 2019/03
18.	論文	Epitaxial growth of deposited amorphous Si layer formed on hydrogen-terminated Si(001) surfaces by ion beam induced epitaxial crystallization with ion beam mixing （共著） 2019/02
19.	論文	n-型ダイヤモンド半導体へのオーミック電極構造形成法の研究(1) （共著） 2018/07
20.	論文	数理・物理学科における物理学実験での放射線教育の実践例（単著） 2018/07
21.	論文	Porous Structure on Ge Surface Formed by C60 Ion Beam Irradiation （共著） 2018/06
22.	論文	INVESTIGATION OF HOMOEPITAXIAL Si GROWTH DEPOSITED BY ELECTRON BOMBARDMENT ONTO THE Si (100) SUBSTRATE (II) （共著） 2018/03
23.	論文	Oxygen ion implantation into the crystalline (001)Si substrates through the patterned SiO2 structures -Evaluation of surface morphology- （共著） 2018/03
24.	論文	PREPARATION OF SAMPLE FOR STM LUMINESCENCE SPECTROSCOPY OF SINGLE SiC ANOCRYSTAL USING CT PROBE （共著） 2018/03
25.	論文	SIMPLIFICATION OF OHMIC ELECTRODE STRUCTURE ON n-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE BY Ar ION IMPLANTATION （共著） 2018/03
26.	論文	Advanced Experimental Physics in Kanagawa University （単著） 2017/08
27.	論文	Epitaxial Growth of Si on Hydrogen-Terminated Si(001) Surfaces Induced by Ion Beam irradiation at 300^oC （共著） 2017/07
28.	論文	Novel SOI Structure Formation Using MeV Ion Beam Irradiation - Study of Amorphous Si Layer Deposition Using EB Evaporating Method in The UHV Environment - （共著） 2017/07
29.	論文	Diffusion and aggregation process of oxygen embedded around an amorphous/crystal interface of Si(001) studied by molecular dynamics simulation （単著） 2017/05
30.	論文	FABRICATION OF THE OPTICAL SYSTEM FOR CL AND PL MEASUREMENT USING CT PROBE WITH HIGH-SPACIAL RESOLUTION （共著） 2017/03
31.	論文	INVESTIGATION OF HOMOEPITAXIAL Si GROWTH DEPOSITED BY ELECTRON BOMBARDMENT ONTO THE Si(100) SUBSTRATE （共著） 2017/03
32.	論文	WIMP tracking with cryogenic nuclear emulsion （共著） 2017/01
33.	論文	A novel mechanism of ultrathin SOI synthesis by extremely low-energy hot O+ implantation （共著） 2016/07
34.	論文	Synthesis of a Thin Buried Oxide Layer by High Temperature Oxygen Implantation in a Silicon Substrate - Effect of High Temperature Implantation - （共著） 2016/07
35.	論文	Direct synthesis of ultrathin SOI structure by extremely low-energy oxygen implantation （共著） 2016/06
36.	論文	Formation of SIMOX-SOI structure by high-temperature oxygen implantation （共著） 2015/12
37.	論文	Silicide Synthesis by Fe+ Implantation in Silicon Substrate （共著） 2015/07
38.	論文	Formation of Co nano-particles for CNT growth using all-vacuum pcoresses （共著） 2015/03
39.	論文	Formation of ohmic electrodes for diamond semiconductor using Ar ion irradiation （共著） 2015/03
40.	論文	Growth of Carbon Nanotubes using Total Vacuum Processes and Characterization of Co Nano-particles by RHEED/STM （共著） 2014/07
41.	論文	Growth of carbon nanotubes from catalytic metal nanoparticles formed by hot ion-implantation into insulating films （共著） 2013/07
42.	論文	Analysis of depth redistribution of implanted Fe near SiO2/Si interface （共著） 2013/06
43.	論文	Growth of homoepitaxial diamond thin film on the fairly-well flat Ib-type diamond substrate using micro-wave plasma CVD method （共著） 2013/03
44.	論文	Carbon nanotube growth from catalytic nano-clusters formed by hot-ion-implantation into the SiO2/Si interface （共著） 2012/07
45.	論文	Growth of single-walled carbon nanotubes from Fe nanoparticles formed by hot-ion implantation -- Investigation of etching and CVD conditions for CNT growth in SiO2 films using microwave plasma -- （共著） 2012/07
46.	論文	Research into radioactivity diffused by explosion of the Fukushima daiichi nuclear power station （共著） 2012/07
47.	論文	Analysis of Fe nanoparticles formed near the SiO2/Si interface by hot-ion implantation using RBS and TEM （共著） 2012/03
48.	論文	Initial stage of silicidation at Au/Si(111) interfaces （共著） 2012/03
49.	論文	Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes from Nano-clusters Formed in SiO2-layer during Fe Hot-ion-Implantation （共著） 2012/01
50.	論文	Growth of carbon nanotubes on Fe nano- particles formed by hot ion-implantation （共著） 2011/07
51.	論文	Graphene on SiC(0001) and SiC(000-1) surfaces grown via Ni-silicidation reactions （共著） 2011/05
52.	論文	Characterization of diamond substrates and homoepitaxial microwave- plasma CVD films using various estimation methods （共著） 2011/03
53.	論文	Characterization of Hot-Implanted Fe near the SiO2/Si Interface （共著） 2011/03
54.	論文	RBS analysis of Au/(Pt)/Ti multilayer grown on C(001) surfaces （共著） 2011/03
55.	論文	Growth of carbon nanotubes on Fe nano- particles formed by hot ion-implantation （共著） 2010/07
56.	論文	Interdiffusion analysis of Au/Ti and Au/Pt/Ti electrode structures grown on diamond (001) surface by RBS method （共著） 2010/07
57.	論文	Graphene on SiC(0001) and SiC(000-1) surfaces grown via Ni-silicidation reactions （共著） 2010/06
58.	論文	Characterization of diamond substrates and homoepitaxial microwave-plasma CVD films using various estimation methods （共著） 2009/12
59.	論文	RBS analysis of Au/(Pt)/Ti multilayer grown on C(001) surfaces （共著） 2009/12
60.	論文	Study on surfaces and interfaces in thin films using quantum beams （単著） 2009/12
61.	論文	A stable Isotopic tracing study of the growth of silicon carbide nanocrystals at the SiO2/Si interface by CO annealing （共著） 2009/07
62.	論文	Research for Electrical Activation of Ion-implanted Diamond Semiconductors Using MeV Ion Beam Irradiation - Research for Formation of High-quality Diamond EPitaxial Thin Layers on the Diamond Substrates and Evaluation of These Layers - （共著） 2009/07
63.	論文	Structure of an Ultrathin Aluminum Oxide Layer Grown on a NiAl (110) Substrate （共著） 2009/05
64.	論文	Structures of clean and oxygen-adsorbed SiC (000-1)-3×3 surfaces （共著） 2009/05
65.	論文	The Structure and Growth Process of Au/Si(111) Analyzed by High-resolution Ion Scattering Coupled with Photoelectron Spectroscopy （共著） 2009/05
66.	論文	Charge exchange of medium energy H and He ions emerging from solid surfaces （共著） 2009/02
67.	論文	Asymmetric line shapes for medium energy H and He ions undergoing a large-angle collision （共著） 2008/11
68.	論文	Structures of clean and oxygen-adsorbed SiC(0001) (3×3) surfaces （共著） 2008/10
69.	論文	The structure and growth process of Au/Si(111) determined by high-energy ion scattering coupled with photoelectron spectroscopy （共著） 2008/10
70.	論文	Structure of an ultrathin aluminum oxidelayer grown on a NiAl(110) substrate （共著） 2008/02
71.	論文	Growth of SiO2 on SiC by dry thermal oxidation: Mechanisms （共著） 2007/10
72.	論文	Atomic and electronic structures of 6H-SiC(000-1) 3×3 surface （共著） 2007/05
73.	論文	Kinetics of oxynitridation of 6H-SiC(1120) and the interface structure analyzed by ion scattering and photoelectron spectroscopy （共著） 2007/02
74.	論文	Atomic and Electronic Structures of Ultra-thin Ni-deposited SiC(000-1) 2×2 surface （共著） 2006/05
75.	論文	Atomic Structure of Si-rich 6H-SiC(000-1)-2×2 Surface （共著） 2006/05
76.	論文	Initial Growth Processes of Ultra-thin Ni-Layers on Si(111) and Electronic Structure of Epitaxially Grown NiSi2 （共著） 2006/05
77.	論文	Atomic and electronic structures of ultrathin Ni-deposited SiC(000-1) 2×2 surface （共著） 2005/12
78.	論文	Initial growth processes of ultra-thin Ni layers on Si(111) and electronic structure of eitaxially grown NiSi2 （共著） 2005/08
79.	論文	Atomic scale characterization of HfO2/Al2O3 Thin Films Grown on Nitrided and Oxidized Si Substrates （共著） 2005/05
80.	論文	Atomic structure of Si-rich 6H-SiC(000-1) 2×2 surface （共著） 2005/05
81.	論文	Ultrathin Ni layers grown epitaxially on SiC(0001) at room temperature （共著） 2005/05
82.	論文	Dynamic response of target electrons upon low and medium energy ion impact （共著） 2005/04
83.	論文	Atomic scale characterization of HfO2/Al2O3 thin films grown on nitrided and oxidized Si substrates （共著） 2004/12
84.	論文	Oxidized surface structure and oxidation kinetics for C-terminated 6H-SiC(000-1) -2×2 surface （共著） 2004/10
85.	論文	Inelastic energy loss and spectrum shape for medium energy He ions undergoing a large-angle single collision with Si(111) √3×√3-Sb （共著） 2004/06
86.	論文	Atomic and Electronic Structures of 6H-SiC(11-20) Surface （共著） 2004/05
87.	論文	Interfacial reactions between ultra-thin Ni layer and clean 6H-SiC(0001) surface （共著） 2004/05
88.	論文	Ultrathin Ni layers grown epitaxially on SiC(0001) at room temperature （共著） 2004/04
89.	論文	Structure change of ultra-thin Ni-deposited 6H-SiC(0001)-R3xR3 surface by post-anneling （共著） 2003/08
90.	論文	The atomic and electronic structures of 6H-SiC(1120) （共著） 2003/08
91.	論文	Dynamical response of target electrons on elastic scattering cross sections for heavy-ion impact on a high-Z atom （共著） 2003/07
92.	論文	Atomic scale characterization of oxidized 6H-SiC(1120) surfaces （共著） 2003/06
93.	論文	Structure Change of Ni(1ML)/Si(111) by Post-annealing Observed by Atomic Force Microscopy, Ion Scattering and Photoelectron Spectroscopy （共著） 2003/05
94.	論文	Atomic level characterization of the oxidized and metal-deposited Si and SiC surfaces （単著） 2003/03
95.	論文	Charge exchange for medium energy He and Ne ions in a large-angle collision at solid surface （共著） 2003/02
96.	論文	Characterization and control of HfO2/Si(001) interfaces （共著） 2002/09
97.	論文	Z2- and energy-dependent charge fractions for medium energy He ions after a large-angle single collision at solid surfaces （共著） 2002/09
98.	論文	Structure change of Ni(1ML)/Si(111) by post-annealing observed by atomic force microscopy, ion scattering and photoelectron spectroscopy （共著） 2002/06
99.	論文	Initial oxidation of 6H-SiC(0001)-R3xR3 surface studied by ion scattering combined with photoemission induced by synchrotron-radiation-light （共著） 2002/05
100.	論文	Initial Oxidation of Si(001)-2×1 Surface Studied by Photoelectron Spectroscopy Coupled with Medium Energy Ion Scattering （共著） 2002/05
101.	論文	Surface structure of Y2O3(9.5mol%)-stabilized ZrO2(001) determined by high-resolution medium energy ion scattering （共著） 2002/05
102.	論文	Surface structure and dipole moments of RbI(001) determined by high-resolution medium-energy ion scattering （共著） 2001/11
103.	論文	Charge state of medium-energy He ions after large-angle single collisions （共著） 2001/10
104.	論文	Initial oxidation of Si(001) 2x1 surface studied by photoelectron spectroscopy coupled with medium energy ion scattering （共著） 2001/08
105.	論文	Surface structure of Y2O3(9.5 mol%)-stabilized ZrO2(001) determined by high-resolution medium-energy ion scattering （共著） 2001/08
106.	論文	Lattice dynamics of RbI(001) surface studied by high-resolution medium energy ion scattering and molecular dynamics simulation （共著） 2001/07
107.	論文	Oxidation processes for Si(111) 7x7 surfaces analyzed in situ by synchrotron-radiation- induced photoemission and medium energy ion scattering （共著） 2001/07
108.	論文	Initial oxidation of Si(111)-7×7 surfaces studied by photoelectron spectroscopy combined with medium energy ion scattering （共著） 2001/05
109.	論文	Surface structures of SrTiO3(001) and Ni/SrTiO3(001) studied by medium energy ion scattering and SR-photoelectron spectroscopy （共著） 2001/05
110.	論文	中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(001) 2x1およびSi(111) 7x7表面の初期酸化過程の研究（単著） 2001/03
111.	論文	Dipole moments of the top and second layer ions of RbI(001) surface determining by high-resolution medium energy ion scattering （共著） 2001/02
112.	論文	Collection of Ziegler's stopping powers of Al, Si and their oxides for MeV He ions （共著） 2000/11
113.	論文	Initial oxidation of Si(111) 7x7 surfaces studied by photoelectron spectroscopy combined with medium energy ion scattering （共著） 2000/08
114.	論文	Anomalous surface peaks observed in the backscattering spectra from amorphous Si and SiO2 films for medium energy He ions （共著） 2000/05
115.	論文	Rumpled relaxations of TiC(001) and TaC(001) determined by high-resolution medium energy ion scattering （共著） 2000/05
116.	論文	Surface peaks observed for medium energy He ions backscattered from amorphous solids （共著） 2000/05
117.	論文	Surface structures of SrTiO3(001) and Ni/SrTiO3(001) studied by medium-energy ion scattering and SR-photoelectron spectroscopy （共著） 2000/05
118.	論文	Rumpled relaxation of TiC(001) and TaC(001) determined by high-resolution medium energy ion scattering spectroscopy （共著） 2000/01
119.	その他	エマルジョン暗黒物質探索実験NEWSdm(3)〜低バックグラウンド化へ向けた結晶感度の温度依存性評価〜（共著） 2021/03
120.	その他	Bイオン注入によるCVDダイヤモンド薄膜中への低補償率p型伝導層の形成（共著） 2021/01
121.	その他	Crystallization of thin amorphous Si layer by electron or ion beam irradiation: effect of electronic energy deposition （共著） 2020/12
122.	その他	Energy dependence of nanostructure formation by fast C60 cluster ion beam on Si （共著） 2020/12
123.	その他	超微粒子原子核乾板NITにおける荷電粒子のエネルギー損失量と速度に対する潜像形成効率（共著） 2020/12
124.	その他	C60クラスターイオンビーム照射によるSi表面構造の形成（共著） 2020/09
125.	その他	RBS 法による膜厚測定から求めた高エネルギータングステンの自己スパッタリング収率の測定（共著） 2020/09
126.	その他	低速イオンを用いたAgBr:Iナノ半導体発光の研究（共著） 2020/09
127.	その他	イオンビームによる薄膜・表面の構造組成分析（単著） 2020/03
128.	その他	CO熱拡散によるSiO2/Si界面へのSiCナノ微結晶粒子の形成（共著） 2019/12
129.	その他	P, Oイオン注入室温 ,900℃ とポストアニール(1150℃)によって形成したIIa型CVDダイヤモンドの電気特性（共著） 2019/12
130.	その他	Si単結晶基板表面に形成した非晶質Si層の結晶化メカニズム ―EBIECとIBIECの比較― （共著） 2019/12
131.	その他	全面SiO2層に向けた電子衝突蒸着Si層の結晶成長条件の検討（共著） 2019/12
132.	その他	室温11B+イオン注入及び1150°C,1300°Cアニール処理によるIIa型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング（共著） 2019/12
133.	その他	室温11B+イオン注入及び1150°C, 1300°Cアニール処理によるIIa 型ダイヤモンド基板への高効率p型Bドーピング（共著） 2019/11
134.	その他	The remarkable p-type conductivity of CVD diamond substrate accomplished by 11B+ ion implantation at room temperature and subsequent annealing at relatively low-temperature of 1150 and 1300°C （共著） 2019/09
135.	その他	C60クラスターイオンビームを照射したSiとGeの表面構造評価（共著） 2019/03
136.	その他	SiC単結晶基板の酸素イオン注入による埋込絶縁層の形成（共著） 2018/12
137.	その他	The epitaxial growth of deposited amorphous Si layer on hydrogen-terminated surfaces using ion beam induced epitaxial crystallization with ion beam mixing （共著） 2018/12
138.	その他	ダイヤモンド半導体のn型ドーパント高温イオン注入による電気的活性化の研究（共著） 2018/12
139.	その他	水素終端単結晶Si基板上へ堆積した非晶質Si層のイオンビームミキシングを伴ったイオンビーム誘起低温結晶成長（共著） 2018/12
140.	その他	水素終端単結晶Si基板上へ堆積した非晶質Si層のイオンビームミキシングを伴ったイオンビーム雄貴結晶成長（共著） 2018/12
141.	その他	高温Ｂイオン注入したタイプIIa CVDダイヤモンド基板の電気特性（共著） 2018/12
142.	その他	高温（1000℃）Bイオン注入したIIaタイプCVDダイヤモンド基板の電気特性（共著） 2018/11
143.	その他	The remarkable p-type carrier transport induced by 1000C B and C ion implantation into the IIa diamond substrates followed by 1150C annealing （共著） 2018/09
144.	その他	イオンビームミキシングを併用したイオンビーム誘起結晶成長法による水素終端上の非晶質Si層のエピタキシャル成長（共著） 2018/09
145.	その他	The sputtering yield of crystalline Si(100) surface by monoatomic and diatomic nitrogen ions impact （共著） 2018/07
146.	その他	Porous Structure on Ge Surface Formed by C60 Ion Beam Irradiation （共著） 2018/06
147.	その他	The epitaxial growth of deposited amorphous Si layer on hydrogen-terminated surfaces using ion beam mixing treatment （共著） 2018/06
148.	その他	高速C60イオンビーム照射によるGe表面ポーラス構造の形状制御（共著） 2018/06
149.	その他	The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments （共著） 2017/12
150.	その他	Depth profiling of interfacial fluctuation with nanometer order in ultrathin ilicon-on-insulator structure by classical Rutherford backscattering using ¹⁰B ions （共著） 2017/10
151.	その他	The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments （共著） 2017/10
152.	その他	清浄表面および水素終端化Si(001)表面上に形成した極薄非晶質Si層の中エネルギーイオンビーム照射による再結晶化レートと界面水素量依存性（共著） 2017/09
153.	その他	Chemical cleaning effect on metallic multilayer electrodes prepared for ohmic property measurements of n-type diamond substrates （共著） 2016/12
154.	その他	CTプローブを用いた高空間分解能CL/PL複合評価のための光学系の作製（共著） 2016/12
155.	その他	Siへの高温低エネルギー酸素イオン注入法による超極薄SOI構造形成の研究（共著） 2016/12
156.	その他	Tiイオン注入によるn型ダイヤモンド半導体基板へのオーミック電極構造形成（共著） 2016/12
157.	その他	パタン化されたSOI構造形成に向けた電子ビーム蒸着Si層のホモエピタキシャル成長条件の検討（共著） 2016/12
158.	その他	Synthesis of an ultrathin Si layer separated by a buried oxide formed by O+ implantaion in Si(001) substrate （共著） 2015/12
159.	その他	Growth mechanism of cobalt clusters on flat and defect-induced highly-oriented pyrolytic graphite suraces （共著） 2015/09
160.	その他	Arイオン照射によるダイヤモンド半導体用オーミック電極の形成（共著） 2015/03
161.	その他	Arイオン照射によるダイヤモンド半導体用オーミック電極の形成（共著） 2014/12
162.	その他	Formation of SOI structure by ultrahigh-temperature oxygen implantation （共著） 2014/12
163.	その他	Si基板中への高温酸素イオン注入により形成したSOI構造の評価（共著） 2014/12
164.	その他	真空一貫プロセスによるCNT成鳥用金属ナノ粒子形成法の研究（共著） 2014/12
165.	その他	Formation of SIMOX-SOI structure by high-temperature oxygen implantation （共著） 2014/09
166.	その他	Si基板中への高温酸素イオン注入により形成したSOI構造の評価（共著） 2014/09
167.	その他	STM、RHEEDによるCo/Graphite表面観察（共著） 2012/12
168.	その他	ダイヤモンド半導体の電気特性評価のための電極構造の検討（共著） 2012/12
169.	その他	密度汎関数法によるダイヤモンド半導体中の不純物準位の計算（共著） 2012/12
170.	その他	マイクロ波プラズマCVDによるCNTの低温成長（共著） 2012/12
171.	その他	高温イオン注入したFe触媒からの熱フィラメントCVDによるCNT成長（共著） 2012/12
172.	その他	Analysis of depth redistibution of implanted Fe near SiO2/Si interface （共著） 2012/10
173.	その他	Low temperature growth of SWCNT by microwave-plasma-enhanced CVD from hot-ion-implanted catalysts （共著） 2012/09
174.	その他	高温イオン注入したFe触媒微粒子からの熱フィラメントCVDによるCNTの低温成長（共著） 2012/09
175.	その他	マイクロ波プラズマCVDによるイオン注入形成FeクラスターからのCNTの低温成長（共著） 2012/03
176.	その他	SiO2/Si膜中へイオン注入されたFeの拡散・反応過程の研究（共著） 2011/12
177.	その他	SiO2/Si膜中へイオン注入されたFeの拡散・反応過程の研究（共著） 2011/12
178.	その他	STM, RHEEDによるCo/Graphite表面観察（共著） 2011/12
179.	その他	ダイヤモンド半導体電気測定のための電極構造の検討（共著） 2011/12
180.	その他	水素プラズマによるSiO2/Siエッチング効果のRBS-ERDA分析（共著） 2011/12
181.	その他	マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド薄膜の分析評価（共著） 2011/12
182.	その他	SiO2/Si中へイオン注入されたFeの拡散・反応過程の研究（共著） 2011/09
183.	その他	SiO2膜中への高温イオン注入により形成したFeナノ微粒子からの単層カーボンナノチューブ成長（共著） 2011/09
184.	その他	高温Feイオン注入形成微粒子からのマイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ成長（共著） 2011/09
185.	その他	高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのCoクラスターの形成と評価およびCVD法によるカーボンナノチューブ成長（共著） 2011/09
186.	その他	Carbon nanotube growth from Fe nanoparticle formed by hot-ion-implantation into the SiO2/Si interface （共著） 2011/05
187.	その他	単一半導体を用いた新ソースへテロ構造の検討：歪みSi層の緩和メカニズム（共著） 2011/03
188.	その他	ダイヤモンドIb基板のホール効果測定法による電気的評価（共著） 2010/12
189.	その他	低速電子線回折・走査型トンネル顕微鏡を用いたSi・グラファイト表面観察（共著） 2010/12
190.	その他	ホットイオン注入形成微粒子を種触媒とするCNT生成法の研究（共著） 2010/12
191.	その他	イオン注入法を用いたカーボンナノチューブの種触媒微粒子の形成と断面TEM、RBSによる評価の研究（共著） 2010/12
192.	その他	高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのCoクラスター形成と断面TEM観察を中心とした評価の研究（共著） 2010/12
193.	その他	高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのFe微粒子形成とRBS・TEMによる評価の研究（共著） 2010/12
194.	その他	ラザフォード後方散乱法によるダイヤモンド基板上に成長したAu/TiおよびAu/Pt/Ti電極の熱的安定性評価（共著） 2010/11
195.	その他	SiC{0001} 表面上のNiシリサイド反応によるグラフェン層の形成（共著） 2010/09
196.	その他	ホットイオン注入形成微粒子を種触媒とするCNT生成法の研究（共著） 2010/09
197.	その他	高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのFeクラスター形成と評価の研究（共著） 2010/09
198.	その他	ダイヤモンド基板上に形成したAu/TiおよびAu/Pt/Ti膜のRBS分析（共著） 2010/03
199.	その他	ホットイオン注入形成Fe微結晶粒子を種触媒とするCNT生成法の研究（共著） 2010/03
200.	その他	RBS analysis of Au/(Pt)/Ti multilayer grown on C(001) surfaces （共著） 2009/12
201.	その他	中電流型イオン注入装置を用いた CNT 形成法について（共著） 2009/12
202.	その他	ホモエピタキシャルマイクロ波プラズマCVDダイヤモンド薄膜の各種分析評価（共著） 2009/12
203.	その他	Elemental depth profiles of Au/Pt/Ti films grown on diamond (001) surface studied by Rutherford backscattering spectroscopy （共著） 2009/11
204.	その他	Elemental depth profiles of Au/Pt/Ti films grown on diamond (001) surface studied by Rutherfored backscattering spectroscopy （共著） 2009/11
205.	その他	Narrow nuclear resonance profiling and stable isotopic tracing study of the diffusion and reaction of carbon monoxide moleclues in thermal silica and at its interface with silicon （共著） 2009/11
206.	その他	Narrow Nuclear Resonance Profiling and Stable Isotopic Tracing Study of the Diffusion and Reaction of Carbon Monoxide Molecules in Thermal Siclica and at its Interface with Silicon （共著） 2009/11
207.	その他	ホモエピタキシャルマイクロ波プラズマCVDダイヤモンド薄膜の各種分析評価（共著） 2009/11
208.	その他	Atomic and Electronic Structure of Au/Si(111) Determined by MEIS and SR-PES （共著） 2008/10
209.	その他	Isotopic tracing study of the growth of silicon carbide nano-crystals at the SiO2/Si interface by CO annealing （共著） 2008/10
210.	その他	Si(111) 7×7表面上における極薄Auの成長過程（共著） 2008/09
211.	その他	清浄および室温酸化したSiC(0001)-3×3 表面の構造（共著） 2008/09
212.	その他	NiAl(110)上に形成された極薄Al2Ox膜の構造解析（共著） 2008/03
213.	その他	中エネルギーH、Heイオンの固体最表面での荷電変換（共著） 2008/03
214.	その他	中エネルギーイオン散乱スペクトルの非対称性（共著） 2008/03
215.	その他	The structures of clean and oxygen- and nitrogen- adsorbed 6H-SiC{0001} 3×3 surfaces （共著） 2007/10
216.	その他	6H-SiC{0001} 3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造の研究（共著） 2007/09
217.	その他	Ni(111)およびPd(111)上の極薄Au膜成長とO2,NOの吸着（共著） 2007/09
218.	その他	Surface characterization of reconstructed 6H-SiC(000-1) and adsorbed structure of oxygen （共著） 2007/09
219.	その他	中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAl(110)表面構造解析（共著） 2007/09
220.	その他	6H-SiC(000-1)-C終端3×3表面の構造と電子状態（共著） 2007/03
221.	その他	SiC(000-1)-C-3×3表面の構造と電子状態（共著） 2006/09
222.	その他	SiC(11-20) 清浄表面の酸窒化過程; 界面の構造とキネティクス（共著） 2006/09
223.	その他	Ni(0.2-20ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析（共著） 2006/03
224.	その他	Atomic and Electronic Structures of Ni Deposited on Si(111) at room temperature and Epitaxially Grown B-type NiSi2(111)/Si(111) （共著） 2005/12
225.	その他	中エネルギーHeイオンの結晶表面での荷電変換過程（共著） 2005/09
226.	その他	極薄Ni/SiC(000-1)表面における2√3×2√3 構造の解析（共著） 2005/09
227.	その他	極薄Ni/SiC(0001)表面における擬3×1構造の解析（共著） 2005/09
228.	その他	極薄 Ni 蒸着した6H-SiC( 0001 )-2×2 表面の構造（共著） 2005/09
229.	その他	Atomic and electronic structures of ultrathin-Ni-deposited SiC(000-1)-2×2 surface （共著） 2005/06
230.	その他	極薄Ni/6H-SiC(0001)表面の原子配列と電子状態(I) （共著） 2005/03
231.	その他	極薄Ni/SiC(000-1)表面の原子配列と電子状態(II) （共著） 2005/03
232.	その他	第一原理計算による6H-SiC(000-1)-2×2表面構造と電子状態（共著） 2005/03
233.	その他	SiC(000-1)- 2×2表面構造と初期酸化カイネティクス（共著） 2004/10
234.	その他	6H-SiC(000-1)-2×2 Si-rich清浄表面の構造（共著） 2004/09
235.	その他	First-Principles Calculations of Si-rich 2×2 Reconstruction and Oxidation of the C-terminated 6H-SiC(000-1) （共著） 2004/09
236.	その他	Ni-silicide反応に伴うSiの表面偏析（共著） 2004/09
237.	その他	Surface structure and oxidation mechanism for Si-rich 6H-SiC(000-1) 2×2 surface （共著） 2004/09
238.	その他	低，及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果（共著） 2004/09
239.	その他	極薄Niと6H-SiC(0001)の界面反応過程（共著） 2004/09
240.	その他	Dynamic Response of Target Electrons upon Low and Medium Energy Ion Impact （共著） 2004/07
241.	その他	Oxidized Surface Structure and Oxidation Kinetics for C-terminated 6H-SiC(000-1) （共著） 2004/05
242.	その他	6H-SiC(000-1)-2×2 表面構造と初期酸化過程（共著） 2004/03
243.	その他	6H-SiC(0001) √3×√3表面上における極薄Ni膜のエピタキシャル成長（共著） 2003/12
244.	その他	Interfacial reactions between ultrathin Ni-layer and 6H-SiC(0001) surface （共著） 2003/11
245.	その他	Epitaxial growth of ultrathin Ni-layer on 6H-SiC(0001) surface （共著） 2003/10
246.	その他	6H-SiC(0001) √3×√3表面上における極薄Ni膜のエピタキシャル成長（共著） 2003/09
247.	その他	熱処理による極薄Ni/SiC(0001)界面の初期反応過程（共著） 2003/09
248.	その他	Inelastic energy loss and spectrum shape for medium energy He ions undergoing a large-angle single collision with Si(111)-R3xR3-Sb （共著） 2003/06
249.	その他	Initial oxidation of 6H-SiC(11-20) surface studied by high-resolution MEIS and SR-PES （共著） 2003/06
250.	その他	6H-SiC(11-20)表面の初期酸化過程（共著） 2003/03
251.	その他	Charge exchange for medium energy He and Ne ions in a large-angle collision at solid surfaces （共著） 2002/11
252.	その他	Initial Oxidation of 6H-SiC(0001)-√3×√3 Surface Studied by Medium Energy Ion Scattering Combined with SR Photoelectron Spectroscopy （共著） 2002/11
253.	その他	Surface Structure and Initial Oxidation of 6H-SiC(11-20) （共著） 2002/11
254.	その他	Surface structure of 6H-SiC(11-20) studied by medium energy ion scattering and SR-light- induced photoelectron spectroscopy （共著） 2002/11
255.	その他	6H-SiC(11-20)表面の表面構造と初期酸化過程（共著） 2002/09
256.	その他	KI(001)及びRbI(001)表面格子ダイナミクスの高分解能イオン散乱による解析（共著） 2002/09
257.	その他	Ni(1ML)/SiC(0001)の熱処理による構造変化（共著） 2002/09
258.	その他	動的原子間ポテンシャル-入射イオン誘起分極効果（共著） 2002/09
259.	その他	中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光による6H-SiC(0001)-√3×√3表面初期酸化過程の研究（共著） 2002/03
260.	その他	中エネルギーイオン散乱法と分子動力学計算によるKI(001)表面格子振動特性の解析（共著） 2002/03
261.	その他	単回・大角散乱におけるHe，Neイオンの荷電変換（共著） 2002/03
262.	その他	熱処理に伴うNi(1ML)/Si(111)-7×7構造変化過程の原子間力顕微鏡，イオン散乱，光電子分光法による研究（共著） 2002/03
263.	その他	単回・大角散乱における中エネルギーHeイオンの荷電変換（共著） 2001/12
264.	その他	中エネルギーHeイオンの大角・単回衝突後の荷電変換（共著） 2001/09
265.	その他	中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(001)-2×1表面初期酸化過程の研究（共著） 2001/09
266.	その他	中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるRbI(001)表面振動相関の検証（共著） 2001/09
267.	その他	中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(001)-2×1表面初期酸化過程の研究（共著） 2000/11
268.	その他	Si(111)-7x7 初期酸化過程の中エネルギーイオン散乱・光電子分光分析（共著） 2000/09
269.	その他	中エネルギーHeイオン散乱分光スペクトルに現れる異常表面ピークの解析（共著） 2000/09
270.	その他	中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(001)-2×1表面の初期酸化過程の解明（共著） 2000/09
271.	その他	イオン散乱分析と分子動力学計算による RbI(001)表面構造解析（共著） 2000/09
272.	その他	Oxidation process for Si(111) 7x7 surfaces analyzed in-situ by synchrotron-radiation-induced photoemission and medium energy ion scattering （共著） 2000/08
273.	その他	中エネルギーイオン散乱とSR光電子分光によるSi(111)-7×7表面初期酸化過程の研究（共著） 2000/03
274.	その他	高分解能中エネルギーイオン散乱によるTiC(001)及びTaC(001)表面の緩和とランプリングの決定（共著） 1999/09
5件表示
全件表示(274件)

■ 職歴

1.	2013/04～2013/09	神奈川大学理学部総合理学研究所客員研究員
2.	2007/04～2008/03	立命館大学総合理工学研究機構ポストドクトラルフェロー研究員
3.	2005/11～2007/03	パリ第6,7大学パリナノサイエンス研究所客員研究員
4.	2004/04～2005/09	立命館大学理工学部（兼任）非常勤講師
5.	2004/04～2007/03	京都大学大学院工学研究科電子工学専攻日本学術振興会特別研究員（PD）
6.	2003/04～2004/03	立命館大学理工学部非常勤講師
7.	2001/04～2003/03	立命館大学理工学部助手
5件表示
全件表示(7件)

■ 資格・免許

1999/03

第一種理科教員免許

■ 研究課題・受託研究・科研費

1.	2013/04～	イオンビーム照射による半導体(ダイヤモンド、シリコンカーバイド、シリコン等)の高機能化の研究個人研究
2.	2013/04～	イオンビーム照射による薄膜・ナノ構造形成、原子輸送現象の科学個人研究
3.	2004/04～2007/03	シリコンカーバイド表面の酸化及び金属薄膜との反応過程の解析と界面制御技術の確立特別研究員奨励費
4.	2008/04～2012/03	カイラリティー制御単層カーボンナノチューブの形成と物性評価個人研究
5.	2005/11～2008/03	同位体共鳴核反応法を用いた高分解能深さプロファイリング分析個人研究
6.	2001/04～2008/03	シリコンカーバイドの表面構造と表面電子物性の研究個人研究
5件表示
全件表示(6件)

■ 講師・講演

1.	2018/02	イオン散乱による薄膜・表面の深さ方向定量分析
2.	2013/11	福島第一原発事故により飛散した放射性物質の調査
3.	2012/03	Analysis of SiC surfaces by ion scattering and photoelectron

■ 委員会・協会等

1.	2018/04～2019/03	日本物理学会領域１放射線分科運営委員
2.	2017/03	応用物理学会　春季学術講演会　（パシフィコ横浜）実行委員
3.	2013/12	応用物理学会薄膜表面分科会主催　第14回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会　（神奈川大学）実行委員
4.	2002/03	日本物理学会　年会　（立命館大学）実行委員

■ ホームページ

https://www.sci.kanagawa-u.ac.jp/math-phys/jyojin/

■ メールアドレス

■ 現在の専門分野

ナノ構造科学, 量子ビーム科学, 表面・界面の科学, 半導体物性　（キーワード：原子輸送現象の科学）

■ 科研費研究者番号

70454527

■ 提供可能な資源

MeV級ペレトロンイオン加速器(各種イオンビーム分析、MeV級イオンビーム照射)
200 kV 中電流型イオン注入加速器(イオン注入、イオンビーム照射 @-196 ~ 1000℃)

■ 共同研究希望テーマ

1.	イオンビーム照射による物質の改質と高機能化の研究
2.	低～高温イオン注入によるワイドギャップ半導体(ダイヤモンド、シリコンカーバイド等)の高機能化の研究
3.	機能性ナノ構造形成と物性評価
4.	高エネルギーイオンビームを用いた構造分析