(最終更新日:2019-09-26 14:41:42)
  ホシノ ヤスシ   Hoshino Yasushi
  星野 靖
   所属   神奈川大学  理学部 数理・物理学科
   職種   助教
■ 学会発表
1. 2019/03/20 C60クラスターイオンビームを照射したSiとGeの表面構造評価(日本金属学会2019年春季講演大会)
2. 2019/03/16 最先端の物理的・化学的手法から探る凝縮相の放射線分解・反応ダイナミクス ーまとめー(2019年 日本物理学会 年会 領域1合同シンポジウム)
3. 2018/12/11 C60クラスターイオンビームを照射したSiとGeの表面構造評価(QST高崎サイエンスフェスタ2018)
4. 2018/12/08 Sputtering yield of thin Si(100) film impinged by monoatomic and diatomic nitrogen ions(第19回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会)
5. 2018/12/08 The epitaxial growth of deposited amorphous Si layer on hydrogen-terminated surfaces using ion beam induced epitaxial crystallization with ion beam mixing(第19回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会)
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■ 著書・論文歴
1. 論文  Remarkable p-type activation of heavily doped diamond accomplished by boron ion implantation at room temperature and subsequent annealing at relatively low temperatures of 1150 and 1300C (共著) 2019/08
2. 論文  Formation of SiC Nanocrystals Aligned at the SiO2/Si Interface Aiming at Sample Preparation for Scanning Tunneling Luminescence Spectroscopy (共著) 2019/07
3. 論文  物理学実験1における光の回折・干渉実験の実践例と応用 (単著) 2019/07
4. 論文  Surface Structures on Ge and Si Irradiated with C60 Cluster Ion Beams (共著) 2019/06
5. 論文  THE EPITAXIAL GROWTH OF AMORPHOUS Si LAYER DEPOSITED ON HYDROGEN-TERMINATED SURFACES USING ION BEAM INDUCED EPITAXIAL CRYSTALLIZATION WITH ION BEAM MIXING (共著) 2019/03
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■ 職歴
1. 2013/04~2013/09 神奈川大学理学部総合理学研究所 客員研究員
2. 2007/04~2008/03 立命館大学 総合理工学研究機構 ポストドクトラルフェロー研究員
3. 2005/11~2007/03 パリ第6,7大学 パリナノサイエンス研究所 研究員
4. 2004/04~2005/09 立命館大学 理工学部(兼任) 非常勤講師
5. 2004/04~2007/03 京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 日本学術振興会 特別研究員(PD)
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■ 資格・免許
1. 1999/03 第一種 理科教員免許
■ 研究課題・受託研究・科研費
1. 2013/04~  イオンビーム照射による薄膜・ナノ構造形成、原子輸送現象の科学 個人研究 
2. 2013/04~  イオンビーム照射による半導体(ダイヤモンド、シリコンカーバイド、シリコン等)の高機能化の研究 個人研究 
3. 2004/04~2007/03  シリコンカーバイド表面の酸化及び金属薄膜との反応過程の解析と界面制御技術の確立 特別研究員奨励費 
4. 2008/04~2012/03  カイラリティー制御単層カーボンナノチューブの形成と物性評価 個人研究 
5. 2005/11~2008/03  同位体共鳴核反応法を用いた高分解能深さプロファイリング分析 個人研究 
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■ 講師・講演
1. 2018/02 イオン散乱による薄膜・表面の深さ方向定量分析
2. 2013/11 福島第一原発事故により飛散した放射性物質の調査
3. 2012/03 Analysis of SiC surfaces by ion scattering and photoelectron
■ 委員会・協会等
1. 2018/04~2019/03 日本物理学会 領域1 放射線分科 運営委員
2. 2017/03 応用物理学会 春季学術講演会 (パシフィコ横浜) 実行委員
3. 2013/12 応用物理学会薄膜表面分科会主催 第14回イオンビームによる表面・界面解析特別研究会 (神奈川大学) 実行委員
4. 2002/03 日本物理学会 年会 (立命館大学) 実行委員
■ ホームページ
   https://www.sci.kanagawa-u.ac.jp/math-phys/jyojin/
■ メールアドレス
  kyoin_mail
■ 現在の専門分野
ナノ構造科学, 量子ビーム科学, 表面・界面の科学, 半導体物性 (キーワード:原子輸送現象の科学) 
■ 提供可能な資源
MeV級ペレトロンイオン加速器(各種イオンビーム分析、MeV級イオンビーム照射)
200 kV 中電流型イオン注入加速器(イオン注入、イオンビーム照射 @-196 ~ 1000℃)
■ 共同研究希望テーマ
1. イオンビーム照射による物質の改質と高機能化の研究
2. 低~高温イオン注入によるワイドギャップ半導体(ダイヤモンド、シリコンカーバイド等)の高機能化の研究
3. 機能性ナノ構造形成と物性評価
4. 高エネルギーイオンビームを用いた構造分析