研究者情報 - 松木　伸行

（最終更新日：2018-01-12 09:49:18）

  マツキ　ノブユキ   Matsuki Nobuyuki
  松木　伸行
   所属   神奈川大学工学部電気電子情報工学科

職種准教授

■ 学会発表

1.	2015/03	a-Si:H/c-Siヘテロ界面におけるボイド構造－陽電子消滅データに基づく光学的評価法の適用－（第62回応用物理学会春季学術講演）
2.	2015	Characterization of nanometer-size void structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions based on a correlation between optical and positron annihilation parameters,（8th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science）
3.	2015	Characterization of microvoid structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions via positron annihilation and spectroscopic ellipsometry,（The 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum Jointly with 7th International Workshop on Sahara Solar Breeder）
4.	2014/10	a-Si:H/c-Si ヘテロ界面近傍a-Si:H 内ボイド構造の解明：光学的評価法確立へ向けた陽電子消滅法によるアプローチ（第6回薄膜太陽電池セミナー）
5.	2014/09	a-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池特性における2層構造ITO膜を用いたスパッタイオン衝撃の影響解明（秋季第75回応用物理学会学術講演会）
6.	2014/09	a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍a-Si:H内ボイド構造の解明に向けて－陽電子消滅パラメータと光学パラメータとの相関-（秋季第75回応用物理学会学術講演会）
7.	2014	Void-hydrogen structures in a-Si:H/c-Si heterojunctions: parameterization for ellipsometry analysis via positron annihilation spectroscopy（The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion）
8.	2013/10	電界効果型a-Si:H太陽電池（第6回つくばグリーンイノベーションフォーラム「シリコン系太陽電池」）
9.	2013/03	分光エリプソメトリーおよび赤外分光によるa-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池の水素プラズマ処理効果の実時間評価（春季第60回応用物理学関係連合講演会）
10.	2013/03	スパッタリング法によるアモルファスMg2Si系半導体の作製と評価（春季第60回応用物理学関係連合講演会）
11.	2013	Construction of the optical database for CuInGaSe2-based semiconductors with different　Cu and Ga compositions,（The 6th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry）
12.	2012/03	分光エリプソメトリーを利用した大面積a-Si:Hモジュールの太陽電池特性評価（第59回応用物理学関係連合講演会,）
13.	2012/03	局所ネットワーク構造によるa-SiC:H光学定数の変化（第59回応用物理学関係連合講演会）
14.	2012	Spectroscopic ellipsometry characterization of Si-based solar cells（European Materials Research Society (E-MRS)）
15.	2011	Ellipsometry characterization of a-Si:H p-Layers in a-Si:H/c-Si Solar Cells（24th Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors）
16.	2011	Determination of hydrogen content in amorphous silicon layers formed on textured crystalline silicon substrates by spectroscopic ellipsometry,（21st Int. Photovoltaic Sci. and Engineering Conference）
17.	2011	A novel diagnostic technique for textured silicon heterojunction solar cells: multilayer structure and property analysis by spectroscopic ellipsometry,（21st Int. Photovoltaic Sci. and Engineering Conference）
18.	2010/09	分光エリプソメトリーによるテクスチャー型a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池の高精度構造評価（第71回応用物理学会学術講演会）
19.	2010/09	ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたGaN自立基板の電気的評価（第71回応用物理学会学術講演会）
20.	2010/03	ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたn-GaN膜のDLOS評価（第57回応用物理学関係連合講演会）
21.	2010	Ellipsometry characterization of silicon thin films in textured solar cell structures,（Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC-3)）
22.	2009/09	透明導電性高分子／III族窒化物半導体ショットキー型太陽電池の界面構造（第70回応用物理学会学術講演会,）
23.	2009/07	透明導電性高分子とIII族窒化物半導体によるヘテロ接合太陽電池（第6回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム,）
24.	2009/05	明導電性高分子と窒化物薄膜の接合による太陽電池の開発,（第1回窒化化物半導体結晶成長講演会）
25.	2009/04	導電性透明高分子／GaN接合によるショットキー型太陽電池の開発（春季第56回物理学関係連合講演会）
26.	2009	Transparent Schottky contacts by conductive polymers and its application to III-nitrides solar cells（19th Int. Photovoltaic Sci. and Engineering Conference）
27.	2009	Schottky solar cells by III-V nitrides and transparent conductive polymer Thin-Films（28th Electronic Materials Symposium (EMS-28)）
28.	2009	Electrical interface structure of Schottky junctions by p-conjugated polymer/III-nitride hetero structure, Proc（2009 Int. Conf. Solid State Devices and Materials）
29.	2009	Development of top solar cell using III-V nitride thin film（1st International Symposium on Innovative Solar Cells）
30.	2007	Local electrical property of coincidence site lattice boundary in location-controlled Silicon islands by scanning spread resistance microscopy,（Proceedings of the 14th International Display Workshops）
31.	2007	Local electrical properties of coincidence site lattice boundaries in location-controlled silicon islands by scanning capacitance microscopy,（Active Matrix Flat Panel Display 2007）
32.	2007	Characterization of local electrical property of coincidence site lattice boundary in location-controlled silicon islands by scanning probe microscope”,SAFE
33.	2007	Characterization of local electrical property of coincidence site lattice boundary in location-controlled silicon islands by scanning probe microscope,（Mat. Res. Soc. Fall meeting,）
34.	2006/03	単結晶Ta基板上へのIII族窒化物エピタキシャル成長（第53回応用物理学関係連合講演会）
35.	2006/03	単結晶Mo基板上へのエピタキシャルAIN成長（第53回応用物理学関係連合講演会）
36.	2006/03	鏡面Ag基板上へのGaN薄膜エピタキシャル成長（第53回応用物理学関係連合講演会）
37.	2005/11	金属基板上のGaNエピタキシャル成長（第50回人工結晶討論会）
38.	2005/09	単結晶Fe基板上III族窒化物エピタキシャル薄膜の基板面方位依存性（第66回応用物理学会学術講演会）
39.	2005/09	Cu(111)基板上へのGaN薄膜エピタキシャル成長(2)（第66回応用物理学会学術講演会）
40.	2005/03	単結晶Fe基板上へのIII族窒化物薄膜エピタキシャル成長（第52回応用物理学関係連合講演会）
41.	2004/09	PLD法によるマイカ上へのGaNエピタキシャル成長（秋季第65回応用物理学会学術講演会）
42.	2004	Field-effect a-Si:H solar cells with transparent conductive oxide comb-shaped electrodes（The 11 International Workshop on Oxide Electronics）
43.	2003/08	Molecular Beam Deposition法による水素化アモルファスシリコンの構造および光安定性（第64回応用物理学会学術講演会）
44.	2003/03	Molecular Beam Deposition法による水素化アモルファスシリコンの作製および物性（第50回応用物理学関係連合講演会）
45.	2003	Novel network control in hydrogenated amorphous silicon by molecular beam deposition method（20th International Conference on Amorphous and microcrystalline semiconductors –Science and Technology,）
46.	2002	Amorphous silicon – catalysts hybrid photovoltaic device for hydrogen production（International Workshop of Photochemistry in Tokyo）
47.	2001/03	電界効果型a‐Si:H太陽電池の特性向上（第48回応用物理学関係連合講演会,）
48.	2000/09	電界効果によるa-Si:H太陽電池特性の向上（第61回応用物理学会学術講演会）
49.	2000/09	デバイスシミュレーションによる電界効果型太陽電池特性の評価と向上の検討,（第61回応用物理学会学術講演会）
50.	2000/03	パルスレーザー堆積法によるシリコン薄膜の作製（第47回応用物理学関係連合講演会）
51.	1999/09	素化アモルファスシリコン/絶縁体界面の制御および評価（第60回応用物理学会学術講演会）
52.	1999/09	パルスレーザー堆積法によるシリコン薄膜の作成（第60回応用物理学会学術講演会）
53.	1999/09	2次元デバイスシミュレーションによるTFT特性の系統的調査（第60回応用物理学会学術講演会）
54.	1999/03	電界効果a-Si:H太陽電池のコンビナトリアルプロセス開発（第46回応用物理学関係連合講演会）
55.	1999/03	パルスレーザー法によるシリコン薄膜の作成と評価（第46回応用物理学関係連合講演会）
56.	1999/03	コンビナトリアルプラズマCVD法のa-Si:Hデバイス作製への応用,（第46回応用物理学関係連合講演会）
57.	1998/03	電界効果型a‐Si:H太陽電池用絶縁膜材料探索のコンビナトリアルアプローチ（第46回応用物理学関係連合講演会）
58.	1998/03	電界効果アモルファスシリコン太陽電池のコンセプトとデバイスシミュレーション（第74回日本化学会）
59.	1998/03	電界効果a-Si:H太陽電池用高分子強誘電性薄膜の評価（第45回応用物理学関係連合講演会）
60.	1998/03	電界効果a-Si:H太陽電池に用いる酸化物誘電体薄膜の作製および評価（第45回応用物理学関係連合講演会）
61.	1998/03	コンビナトリアルプラズマプロセスによるa-Si:Hの作製と表面窒化,（第45回応用物理学関係連合講演会）
62.	1998/03	コンビナトリアルパルスレーザー堆積法による薄膜作成条件の解析（第45回応用物理学関係連合講演会）
63.	1998/03	nチャネル電界効果型アモルファスシリコン太陽電池の作製プロセス（第45回応用物理学関係連合講演会）
64.	1998	Fabrication of dielectric film/a-Si:H junction for field effect a-Si:H solar cell（The first NIMS International Symposium on Photoreaction Control and Photofunctional Materials）
65.	1998	Fabrication of dielectric film/a-Si:H junction for field effect a-Si:H solar cell（2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion）
66.	1997/11	パルスレーザーアブレーション法によるSi薄膜の堆積（第24回アモルファス物質の物性と応用セミナー）
67.	1997/10	電界効果a-Si:H太陽電池の構造とプロセス技術に関する考察（第58回応用物理学会学術講演会）
68.	1997/10	光照射によるa-Si:H極薄膜の表面モホロジー変化のAFM観察（第58回応用物理学会学術講演会）
69.	1997	Characteristics of field effect a-Si:H solar cells（17th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors -Science and Technology）
70.	2015/03	a-Si:H/c-Siヘテロ界面におけるボイド構造－陽電子消滅データに基づく光学的評価法の適用－（第62回応用物理学会春季学術講演）
71.	2015	Characterization of microvoid structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions via positron annihilation and spectroscopic ellipsometry,（The 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum Jointly with 7th International Workshop on Sahara Solar Breeder）
72.	2015	Characterization of nanometer-size void structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions based on a correlation between optical and positron annihilation parameters,（8th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science）
73.	2014/10	a-Si:H/c-Si ヘテロ界面近傍a-Si:H 内ボイド構造の解明：光学的評価法確立へ向けた陽電子消滅法によるアプローチ（第6回薄膜太陽電池セミナー）
74.	2014/09	a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍a-Si:H内ボイド構造の解明に向けて－陽電子消滅パラメータと光学パラメータとの相関-（秋季第75回応用物理学会学術講演会）
75.	2014/09	a-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池特性における2層構造ITO膜を用いたスパッタイオン衝撃の影響解明（秋季第75回応用物理学会学術講演会）
76.	2014	Void-hydrogen structures in a-Si:H/c-Si heterojunctions: parameterization for ellipsometry analysis via positron annihilation spectroscopy（The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion）
77.	2013/10	電界効果型a-Si:H太陽電池（第6回つくばグリーンイノベーションフォーラム「シリコン系太陽電池」）
78.	2013/03	スパッタリング法によるアモルファスMg2Si系半導体の作製と評価（春季第60回応用物理学関係連合講演会）
79.	2013/03	分光エリプソメトリーおよび赤外分光によるa-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池の水素プラズマ処理効果の実時間評価（春季第60回応用物理学関係連合講演会）
80.	2013	Construction of the optical database for CuInGaSe2-based semiconductors with different　Cu and Ga compositions,（The 6th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry）
81.	2012/03	局所ネットワーク構造によるa-SiC:H光学定数の変化（第59回応用物理学関係連合講演会）
82.	2012/03	分光エリプソメトリーを利用した大面積a-Si:Hモジュールの太陽電池特性評価（第59回応用物理学関係連合講演会,）
83.	2012	Spectroscopic ellipsometry characterization of Si-based solar cells（European Materials Research Society (E-MRS)）
84.	2011	A novel diagnostic technique for textured silicon heterojunction solar cells: multilayer structure and property analysis by spectroscopic ellipsometry,（21st Int. Photovoltaic Sci. and Engineering Conference）
85.	2011	Determination of hydrogen content in amorphous silicon layers formed on textured crystalline silicon substrates by spectroscopic ellipsometry,（21st Int. Photovoltaic Sci. and Engineering Conference）
86.	2011	Ellipsometry characterization of a-Si:H p-Layers in a-Si:H/c-Si Solar Cells（24th Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors）
87.	2010/09	ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたGaN自立基板の電気的評価（第71回応用物理学会学術講演会）
88.	2010/09	分光エリプソメトリーによるテクスチャー型a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池の高精度構造評価（第71回応用物理学会学術講演会）
89.	2010/03	ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたn-GaN膜のDLOS評価（第57回応用物理学関係連合講演会）
90.	2010	Ellipsometry characterization of silicon thin films in textured solar cell structures,（Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC-3)）
91.	2009/09	透明導電性高分子／III族窒化物半導体ショットキー型太陽電池の界面構造（第70回応用物理学会学術講演会,）
92.	2009/07	透明導電性高分子とIII族窒化物半導体によるヘテロ接合太陽電池（第6回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム,）
93.	2009/05	明導電性高分子と窒化物薄膜の接合による太陽電池の開発,（第1回窒化化物半導体結晶成長講演会）
94.	2009/04	導電性透明高分子／GaN接合によるショットキー型太陽電池の開発（春季第56回物理学関係連合講演会）
95.	2009	Development of top solar cell using III-V nitride thin film（1st International Symposium on Innovative Solar Cells）
96.	2009	Electrical interface structure of Schottky junctions by p-conjugated polymer/III-nitride hetero structure, Proc（2009 Int. Conf. Solid State Devices and Materials）
97.	2009	Schottky solar cells by III-V nitrides and transparent conductive polymer Thin-Films（28th Electronic Materials Symposium (EMS-28)）
98.	2009	Transparent Schottky contacts by conductive polymers and its application to III-nitrides solar cells（19th Int. Photovoltaic Sci. and Engineering Conference）
99.	2007	Characterization of local electrical property of coincidence site lattice boundary in location-controlled silicon islands by scanning probe microscope,（Mat. Res. Soc. Fall meeting,）
100.	2007	Characterization of local electrical property of coincidence site lattice boundary in location-controlled silicon islands by scanning probe microscope”,SAFE
101.	2007	Local electrical properties of coincidence site lattice boundaries in location-controlled silicon islands by scanning capacitance microscopy,（Active Matrix Flat Panel Display 2007）
102.	2007	Local electrical property of coincidence site lattice boundary in location-controlled Silicon islands by scanning spread resistance microscopy,（Proceedings of the 14th International Display Workshops）
103.	2006/03	鏡面Ag基板上へのGaN薄膜エピタキシャル成長（第53回応用物理学関係連合講演会）
104.	2006/03	単結晶Mo基板上へのエピタキシャルAIN成長（第53回応用物理学関係連合講演会）
105.	2006/03	単結晶Ta基板上へのIII族窒化物エピタキシャル成長（第53回応用物理学関係連合講演会）
106.	2005/11	金属基板上のGaNエピタキシャル成長（第50回人工結晶討論会）
107.	2005/09	Cu(111)基板上へのGaN薄膜エピタキシャル成長(2)（第66回応用物理学会学術講演会）
108.	2005/09	単結晶Fe基板上III族窒化物エピタキシャル薄膜の基板面方位依存性（第66回応用物理学会学術講演会）
109.	2005/03	単結晶Fe基板上へのIII族窒化物薄膜エピタキシャル成長（第52回応用物理学関係連合講演会）
110.	2004/09	PLD法によるマイカ上へのGaNエピタキシャル成長（秋季第65回応用物理学会学術講演会）
111.	2004	Field-effect a-Si:H solar cells with transparent conductive oxide comb-shaped electrodes（The 11 International Workshop on Oxide Electronics）
112.	2003/08	Molecular Beam Deposition法による水素化アモルファスシリコンの構造および光安定性（第64回応用物理学会学術講演会）
113.	2003/03	Molecular Beam Deposition法による水素化アモルファスシリコンの作製および物性（第50回応用物理学関係連合講演会）
114.	2003	Novel network control in hydrogenated amorphous silicon by molecular beam deposition method（20th International Conference on Amorphous and microcrystalline semiconductors –Science and Technology,）
115.	2002	Amorphous silicon – catalysts hybrid photovoltaic device for hydrogen production（International Workshop of Photochemistry in Tokyo）
116.	2001/03	電界効果型a‐Si:H太陽電池の特性向上（第48回応用物理学関係連合講演会,）
117.	2000/09	デバイスシミュレーションによる電界効果型太陽電池特性の評価と向上の検討,（第61回応用物理学会学術講演会）
118.	2000/09	電界効果によるa-Si:H太陽電池特性の向上（第61回応用物理学会学術講演会）
119.	2000/03	パルスレーザー堆積法によるシリコン薄膜の作製（第47回応用物理学関係連合講演会）
120.	1999/09	2次元デバイスシミュレーションによるTFT特性の系統的調査（第60回応用物理学会学術講演会）
121.	1999/09	パルスレーザー堆積法によるシリコン薄膜の作成（第60回応用物理学会学術講演会）
122.	1999/09	素化アモルファスシリコン/絶縁体界面の制御および評価（第60回応用物理学会学術講演会）
123.	1999/03	コンビナトリアルプラズマCVD法のa-Si:Hデバイス作製への応用,（第46回応用物理学関係連合講演会）
124.	1999/03	パルスレーザー法によるシリコン薄膜の作成と評価（第46回応用物理学関係連合講演会）
125.	1999/03	電界効果a-Si:H太陽電池のコンビナトリアルプロセス開発（第46回応用物理学関係連合講演会）
126.	1998/03	nチャネル電界効果型アモルファスシリコン太陽電池の作製プロセス（第45回応用物理学関係連合講演会）
127.	1998/03	コンビナトリアルパルスレーザー堆積法による薄膜作成条件の解析（第45回応用物理学関係連合講演会）
128.	1998/03	コンビナトリアルプラズマプロセスによるa-Si:Hの作製と表面窒化,（第45回応用物理学関係連合講演会）
129.	1998/03	電界効果a-Si:H太陽電池に用いる酸化物誘電体薄膜の作製および評価（第45回応用物理学関係連合講演会）
130.	1998/03	電界効果a-Si:H太陽電池用高分子強誘電性薄膜の評価（第45回応用物理学関係連合講演会）
131.	1998/03	電界効果アモルファスシリコン太陽電池のコンセプトとデバイスシミュレーション（第74回日本化学会）
132.	1998/03	電界効果型a‐Si:H太陽電池用絶縁膜材料探索のコンビナトリアルアプローチ（第46回応用物理学関係連合講演会）
133.	1998	Fabrication of dielectric film/a-Si:H junction for field effect a-Si:H solar cell（2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion）
134.	1998	Fabrication of dielectric film/a-Si:H junction for field effect a-Si:H solar cell（The first NIMS International Symposium on Photoreaction Control and Photofunctional Materials）
135.	1997/11	パルスレーザーアブレーション法によるSi薄膜の堆積（第24回アモルファス物質の物性と応用セミナー）
136.	1997/10	光照射によるa-Si:H極薄膜の表面モホロジー変化のAFM観察（第58回応用物理学会学術講演会）
137.	1997/10	電界効果a-Si:H太陽電池の構造とプロセス技術に関する考察（第58回応用物理学会学術講演会）
138.	1997	Characteristics of field effect a-Si:H solar cells（17th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors -Science and Technology）
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■ 著書・論文歴

1.	論文	Characterization of a-Si:H thin layers incorporated into textured a-Si:H/c-Si solar cell structures by spectroscopic ellipsometry using a tilt-angle optical configuration （共著） 2014
2.	論文	Nondestructive characterization solar cell structures with nanometer-scale a-Si:H and In₂O₃:Sn layers by spectroscopic ellipsometry （共著） 2013
3.	論文	Local network structure of a-SiC:H and its correlation with dielectric function （共著） 2013
4.	論文	Complete parameterization of the dielectric function of　microcrystalline silicon fabricated by plasma-enhanced chemical vapor deposition, （共著） 2012
5.	著書	Solar Cells:New Aspects and Solutions （共著） 2011/11
6.	論文	π-Conjugated polymer/GaN Schottky solar cells （共著） 2011
7.	論文	Photocapacitance spectroscopy study of deep-level defects in freestanding n-GaN substrates using transparent condutive polymer Schottkey contacts （共著） 2011
8.	論文	Deep-level characterization of n-GaN epitaxial layers using transparent conductive polyaniline Schottky Contacts （共著） 2011
9.	論文	Valence band structure of III-V nitride films characterized by hard X-ray photoelectron spectroscopy （共著） 2010
10.	論文	Heterointerface properties of novel hybrid solar cells consisting of transparent conductive polymers and III-nitride semiconductor, （共著） 2010
11.	論文	Ellipsometry characterization of hydrogenated amorphous silicon layers formed on textured crystalline silicon substrates （共著） 2010
12.	論文	Electrical characterization of n-GaN epilayers using transparent polyaniline Schottky contacts, （共著） 2010
13.	論文	Anomalous capacitance–voltage characteristics of Pt–AlGaN/GaN Schottky diodes exposed to hydrogen （共著） 2010
14.	論文	Photovoltaic action in polyaniline/n-GaN Schottky diodes （共著） 2009
15.	論文	Low-frequency capacitance–voltage study of hydrogen interaction with Pt–AlGaN/GaN Schottky barrier diodes （共著） 2009
16.	論文	Direct observation of the electrical activity of coincidence-site lattice boundaries in location controlled silicon islands using scanning spread resistance microscopy （共著） 2009
17.	論文	Investigation of local electrical properties of coincidence-site-lattice boundaries in location-controlled silicon islands using scanning capacitance microscopy （共著） 2008
18.	論文	Epitaxial growth of GaN films grown on single crystal Fe substrates （共著） 2008
19.	著書	電池革新が拓く次世代電源（共著） 2006/02
20.	論文	Unusual hydrogen distribution and its change in hydrogenated amorphous silicon prepared using bias electric-field molecular beam deposition （共著） 2006
21.	論文	Epitaxial growth of GaN on copper substrates （共著） 2006
22.	論文	Epitaxial growth of AlN on single-crystal Ni(111) substrates （共著） 2006
23.	論文	Epitaxial growth of AlN on Cu(111) substrates using pulsed laser deposition （共著） 2006
24.	論文	Characteristics of AlN/Ni(111) heterostructures and their application to epitaxial growth of GaN, （共著） 2006
25.	その他	【総説】電界効果型a-Si:H太陽電池：コンビナトリアルテクノロジーによる新構造太陽電池の開発（共著） 2005
26.	論文	Heteroepitaxitial growth of gallium nitride on muscovite mica plates by pulsed laser deposition （共著） 2005
27.	論文	Field-effect a-Si:H solar cells with transparent conductive oxide comb-shaped electrodes, （共著） 2005
28.	論文	Characteristics of single-crystal AlN films grown on ferromagnetic metal substrates （共著） 2005
29.	著書	コンビナトリアルテクノロジー　明日を開く‘もの作り’の新世界（共著） 2004/08
30.	論文	Novel network control in hydrogenated amorphous silicon by molecular beam deposition method, （共著） 2004
31.	論文	Concept and performance of a field-effect amorphous silicon solar cell, （共著） 2004
32.	論文	A pulsed laser ablation / plasma chemical vapor deposition tandem system for combinatorial device fabrication （共著） 2004
33.	著書	化学便覧　応用化学編　第6版（共著） 2003/01
34.	論文	One chip photovoltaic water electrolysis device, （共著） 2003
35.	その他	【総説】コンビナトリアルテクノロジー：電界効果デバイスへの応用（共著） 2001
36.	論文	Improved performance of amorphous silicon thin film transistors by cyanide treatment, （共著） 2001
37.	論文	Hydrogen production from solar light energy by photovoltaic water electrolysis （共著） 2001
38.	論文	Combinatorial fabrication process for a-Si:H thin film transistors, （共著） 2001
39.	論文	Fabrication of oxide-gate thin-film transistors using PECVD/PLD multichamber system （共著） 2000
40.	論文	Pulsed laser deposition of photosensitive a-Si thin films （共著） 1999
41.	論文	n-plane structure of an arsenic-absorbed Si(001) surface probed with grazing-angle x-ray standing waves （共著） 1999
42.	その他	【総説】無機材料のコンビナトリアルケミストリー（共著） 1998
43.	その他	【解説・報告記事】「無機物質のコンビナトリアル合成　-新材料発見の強力な手段となるか-」（共著） 1998
44.	その他	【解説・報告記事】「カーボンナノチューブ1本の物性を測定する」（共著） 1998
45.	論文	Characteristics of field effect a-Si:H solar cells （共著） 1998
46.	その他	【解説・報告記事】「炭素の小さな筒で超高密度集積回路が出来る？-カーボンナノチューブを用いた量子細線-」（共著） 1997
47.	その他	【解説・報告記事】「第17回　アモルファスおよび微結晶半導体国際会議（参加報告）」（共著） 1997
48.	論文	Device simulation and fabrication of field effect solar cells （共著） 1990
49.	論文	Impact of sputter-induced ion bombardment at the heterointerfaces of a-Si:H/c-Si solar cells with double-layered In₂O₃:Sn structures 2015
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■ 学歴

1.	1997/04～2000/09	東京工業大学大学院総合理工学研究科物質科学創造専攻博士課程修了博士（工学）
2.	1995/04～1997/03	東京工業大学大学院総合理工学研究科材料科学専攻修士課程修了修士（理学）

■ 職歴

1.	2013/04～2015/03	岐阜大学工学部電気電子・情報工学科電気電子コース助教
2.	2009/12～2013/03	岐阜大学工学部電気電子工学科助教
3.	2008/10～2009/11	（独）物質・材料研究機構ＮＩＭＳポスドク研究員
4.	2006/04～2008/09	Delft University Technology （オランダ） Full-time Postdoctoral Researcher
5.	2003/09～2006/03	（財）神奈川科学技術アカデミー常勤研究員
6.	2002/01～2003/09	科学技術振興機構（独）産業技術総合研究所科学技術特別研究員
7.	2000/07～2002/12	（財）地球環境産業技術研究機構研究員
8.	2000/04～2000/06	科学技術振興事業団技術員
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■ 所属学会

1997/06～

応用物理学会

■ 研究課題・受託研究・科研費

2015/04～2018/03

a-Si:H/c-Siヘテロ接合界面近傍のボイド構造解明科研費基盤研究(C) （キーワード：水素化アモルファスシリコン、結晶シリコン、a-Si:H/c-Siヘテロ接合）

■ 受賞学術賞

1.	2015/09	Best Presentation Award, ISPlasma 2015
2.	2008/07	Best Paper Award, AM-FPD '07

■ 現在の専門分野

薄膜電子材料, エネルギー変換デバイス, 固体電子工学

■ 取得特許

1.	2011	ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法（2011-82353）
2.	2010	ショットキー型接合素子とこれを用いた光電変換素子及び太陽電池（WO2010/110475）
3.	2005	薄膜作製装置及び方法（2005-15817）
4.	2003	太陽光を利用した水素の製造方法及び太陽光を利用した水素の製造装置（2003-288955）
5.	2002	コンビナトリアルデバイス作製装置（2002-33283）