1.
|
2015/03
|
a-Si:H/c-Siヘテロ界面におけるボイド構造 - 陽電子消滅データに基づく光学的評価法の適用 -(第62回応用物理学会春季学術講演)
|
2.
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2015
|
Characterization of nanometer-size void structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions based on a correlation between optical and positron annihilation parameters,(8th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science)
|
3.
|
2015
|
Characterization of microvoid structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions via positron annihilation and spectroscopic ellipsometry,(The 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum Jointly with 7th International Workshop on Sahara Solar Breeder)
|
4.
|
2014/10
|
a-Si:H/c-Si ヘテロ界面近傍a-Si:H 内ボイド構造の解明:光学的評価法確立へ向けた陽電子消滅法によるアプローチ(第6回薄膜太陽電池セミナー)
|
5.
|
2014/09
|
a-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池特性における2層構造ITO膜を用いたスパッタイオン衝撃の影響解明(秋季第75回応用物理学会学術講演会)
|
6.
|
2014/09
|
a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍a-Si:H内ボイド構造の解明に向けて -陽電子消滅パラメータと光学パラメータとの相関-(秋季第75回応用物理学会学術講演会)
|
7.
|
2014
|
Void-hydrogen structures in a-Si:H/c-Si heterojunctions: parameterization for ellipsometry analysis via positron annihilation spectroscopy(The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion)
|
8.
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2013/10
|
電界効果型a-Si:H太陽電池(第6回つくばグリーンイノベーションフォーラム「シリコン系太陽電池」)
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9.
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2013/03
|
分光エリプソメトリーおよび赤外分光によるa-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池の水素プラズマ処理効果の実時間評価(春季 第60回 応用物理学関係連合講演会)
|
10.
|
2013/03
|
スパッタリング法によるアモルファスMg2Si系半導体の作製と評価(春季 第60回 応用物理学関係連合講演会)
|
11.
|
2013
|
Construction of the optical database for CuInGaSe2-based semiconductors with different Cu and Ga compositions,(The 6th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry)
|
12.
|
2012/03
|
分光エリプソメトリーを利用した大面積a-Si:Hモジュールの太陽電池特性評価(第59回 応用物理学関係連合講演会,)
|
13.
|
2012/03
|
局所ネットワーク構造によるa-SiC:H光学定数の変化(第59回 応用物理学関係連合講演会)
|
14.
|
2012
|
Spectroscopic ellipsometry characterization of Si-based solar cells(European Materials Research Society (E-MRS))
|
15.
|
2011
|
Ellipsometry characterization of a-Si:H p-Layers in a-Si:H/c-Si Solar Cells(24th Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors)
|
16.
|
2011
|
Determination of hydrogen content in amorphous silicon layers formed on textured crystalline silicon substrates by spectroscopic ellipsometry,(21st Int. Photovoltaic Sci. and Engineering Conference)
|
17.
|
2011
|
A novel diagnostic technique for textured silicon heterojunction solar cells: multilayer structure and property analysis by spectroscopic ellipsometry,(21st Int. Photovoltaic Sci. and Engineering Conference)
|
18.
|
2010/09
|
分光エリプソメトリーによるテクスチャー型a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池の高精度構造評価(第71回応用物理学会学術講演会)
|
19.
|
2010/09
|
ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたGaN自立基板の電気的評価(第71回応用物理学会学術講演会)
|
20.
|
2010/03
|
ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたn-GaN膜のDLOS評価(第57回応用物理学関係連合講演会)
|
21.
|
2010
|
Ellipsometry characterization of silicon thin films in textured solar cell structures,(Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC-3))
|
22.
|
2009/09
|
透明導電性高分子/III族窒化物半導体ショットキー型太陽電池の界面構造(第70回応用物理学会学術講演会,)
|
23.
|
2009/07
|
透明導電性高分子とIII族窒化物半導体によるヘテロ接合太陽電池(第6回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム,)
|
24.
|
2009/05
|
明導電性高分子と窒化物薄膜の接合による太陽電池の開発,(第1回窒化化物半導体結晶成長講演会)
|
25.
|
2009/04
|
導電性透明高分子/GaN接合によるショットキー型太陽電池の開発(春季第56回物理学関係連合講演会)
|
26.
|
2009
|
Transparent Schottky contacts by conductive polymers and its application to III-nitrides solar cells(19th Int. Photovoltaic Sci. and Engineering Conference)
|
27.
|
2009
|
Schottky solar cells by III-V nitrides and transparent conductive polymer Thin-Films(28th Electronic Materials Symposium (EMS-28))
|
28.
|
2009
|
Electrical interface structure of Schottky junctions by p-conjugated polymer/III-nitride hetero structure, Proc(2009 Int. Conf. Solid State Devices and Materials)
|
29.
|
2009
|
Development of top solar cell using III-V nitride thin film(1st International Symposium on Innovative Solar Cells)
|
30.
|
2007
|
Local electrical property of coincidence site lattice boundary in location-controlled Silicon islands by scanning spread resistance microscopy,(Proceedings of the 14th International Display Workshops)
|
31.
|
2007
|
Local electrical properties of coincidence site lattice boundaries in location-controlled silicon islands by scanning capacitance microscopy,(Active Matrix Flat Panel Display 2007)
|
32.
|
2007
|
Characterization of local electrical property of coincidence site lattice boundary in location-controlled silicon islands by scanning probe microscope”,SAFE
|
33.
|
2007
|
Characterization of local electrical property of coincidence site lattice boundary in location-controlled silicon islands by scanning probe microscope,(Mat. Res. Soc. Fall meeting,)
|
34.
|
2006/03
|
単結晶Ta基板上へのIII族窒化物エピタキシャル成長(第53回応用物理学関係連合講演会)
|
35.
|
2006/03
|
単結晶Mo基板上へのエピタキシャルAIN成長(第53回応用物理学関係連合講演会)
|
36.
|
2006/03
|
鏡面Ag基板上へのGaN薄膜エピタキシャル成長(第53回応用物理学関係連合講演会)
|
37.
|
2005/11
|
金属基板上のGaNエピタキシャル成長(第50回人工結晶討論会)
|
38.
|
2005/09
|
単結晶Fe基板上III族窒化物エピタキシャル薄膜の基板面方位依存性(第66回応用物理学会学術講演会)
|
39.
|
2005/09
|
Cu(111)基板上へのGaN薄膜エピタキシャル成長(2)(第66回応用物理学会学術講演会)
|
40.
|
2005/03
|
単結晶Fe基板上へのIII族窒化物薄膜エピタキシャル成長(第52回応用物理学関係連合講演会)
|
41.
|
2004/09
|
PLD法によるマイカ上へのGaNエピタキシャル成長(秋季第65回応用物理学会学術講演会)
|
42.
|
2004
|
Field-effect a-Si:H solar cells with transparent conductive oxide comb-shaped electrodes(The 11 International Workshop on Oxide Electronics)
|
43.
|
2003/08
|
Molecular Beam Deposition法による水素化アモルファスシリコンの構造および光安定性(第64回応用物理学会学術講演会)
|
44.
|
2003/03
|
Molecular Beam Deposition法による水素化アモルファスシリコンの作製および物性(第50回応用物理学関係連合講演会)
|
45.
|
2003
|
Novel network control in hydrogenated amorphous silicon by molecular beam deposition method(20th International Conference on Amorphous and microcrystalline semiconductors –Science and Technology,)
|
46.
|
2002
|
Amorphous silicon – catalysts hybrid photovoltaic device for hydrogen production(International Workshop of Photochemistry in Tokyo)
|
47.
|
2001/03
|
電界効果型a‐Si:H太陽電池の特性向上(第48回応用物理学関係連合講演会,)
|
48.
|
2000/09
|
電界効果によるa-Si:H太陽電池特性の向上(第61回応用物理学会学術講演会)
|
49.
|
2000/09
|
デバイスシミュレーションによる電界効果型太陽電池特性の評価と向上の検討,(第61回応用物理学会学術講演会)
|
50.
|
2000/03
|
パルスレーザー堆積法によるシリコン薄膜の作製(第47回応用物理学関係連合講演会)
|
51.
|
1999/09
|
素化アモルファスシリコン/絶縁体界面の制御および評価(第60回応用物理学会学術講演会)
|
52.
|
1999/09
|
パルスレーザー堆積法によるシリコン薄膜の作成(第60回応用物理学会学術講演会)
|
53.
|
1999/09
|
2次元デバイスシミュレーションによるTFT特性の系統的調査(第60回応用物理学会学術講演会)
|
54.
|
1999/03
|
電界効果a-Si:H太陽電池のコンビナトリアルプロセス開発(第46回応用物理学関係連合講演会)
|
55.
|
1999/03
|
パルスレーザー法によるシリコン薄膜の作成と評価(第46回応用物理学関係連合講演会)
|
56.
|
1999/03
|
コンビナトリアルプラズマCVD法のa-Si:Hデバイス作製への応用,(第46回応用物理学関係連合講演会)
|
57.
|
1998/03
|
電界効果型a‐Si:H太陽電池用絶縁膜材料探索のコンビナトリアルアプローチ(第46回応用物理学関係連合講演会)
|
58.
|
1998/03
|
電界効果アモルファスシリコン太陽電池のコンセプトとデバイスシミュレーション(第74回日本化学会)
|
59.
|
1998/03
|
電界効果a-Si:H太陽電池用高分子強誘電性薄膜の評価(第45回応用物理学関係連合講演会)
|
60.
|
1998/03
|
電界効果a-Si:H太陽電池に用いる酸化物誘電体薄膜の作製および評価(第45回応用物理学関係連合講演会)
|
61.
|
1998/03
|
コンビナトリアルプラズマプロセスによるa-Si:Hの作製と表面窒化,(第45回応用物理学関係連合講演会)
|
62.
|
1998/03
|
コンビナトリアルパルスレーザー堆積法による薄膜作成条件の解析(第45回応用物理学関係連合講演会)
|
63.
|
1998/03
|
nチャネル電界効果型アモルファスシリコン太陽電池の作製プロセス(第45回応用物理学関係連合講演会)
|
64.
|
1998
|
Fabrication of dielectric film/a-Si:H junction for field effect a-Si:H solar cell(The first NIMS International Symposium on Photoreaction Control and Photofunctional Materials)
|
65.
|
1998
|
Fabrication of dielectric film/a-Si:H junction for field effect a-Si:H solar cell(2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion)
|
66.
|
1997/11
|
パルスレーザーアブレーション法によるSi薄膜の堆積(第24回アモルファス物質の物性と応用セミナー)
|
67.
|
1997/10
|
電界効果a-Si:H太陽電池の構造とプロセス技術に関する考察(第58回応用物理学会学術講演会)
|
68.
|
1997/10
|
光照射によるa-Si:H極薄膜の表面モホロジー変化のAFM観察(第58回応用物理学会学術講演会)
|
69.
|
1997
|
Characteristics of field effect a-Si:H solar cells(17th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors -Science and Technology)
|
70.
|
2015/03
|
a-Si:H/c-Siヘテロ界面におけるボイド構造 - 陽電子消滅データに基づく光学的評価法の適用 -(第62回応用物理学会春季学術講演)
|
71.
|
2015
|
Characterization of microvoid structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions via positron annihilation and spectroscopic ellipsometry,(The 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum Jointly with 7th International Workshop on Sahara Solar Breeder)
|
72.
|
2015
|
Characterization of nanometer-size void structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions based on a correlation between optical and positron annihilation parameters,(8th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science)
|
73.
|
2014/10
|
a-Si:H/c-Si ヘテロ界面近傍a-Si:H 内ボイド構造の解明:光学的評価法確立へ向けた陽電子消滅法によるアプローチ(第6回薄膜太陽電池セミナー)
|
74.
|
2014/09
|
a-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池特性における2層構造ITO膜を用いたスパッタイオン衝撃の影響解明(秋季第75回応用物理学会学術講演会)
|
75.
|
2014/09
|
a-Si:H/c-Siヘテロ界面近傍a-Si:H内ボイド構造の解明に向けて -陽電子消滅パラメータと光学パラメータとの相関-(秋季第75回応用物理学会学術講演会)
|
76.
|
2014
|
Void-hydrogen structures in a-Si:H/c-Si heterojunctions: parameterization for ellipsometry analysis via positron annihilation spectroscopy(The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion)
|
77.
|
2013/10
|
電界効果型a-Si:H太陽電池(第6回つくばグリーンイノベーションフォーラム「シリコン系太陽電池」)
|
78.
|
2013/03
|
分光エリプソメトリーおよび赤外分光によるa-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池の水素プラズマ処理効果の実時間評価(春季 第60回 応用物理学関係連合講演会)
|
79.
|
2013/03
|
スパッタリング法によるアモルファスMg2Si系半導体の作製と評価(春季 第60回 応用物理学関係連合講演会)
|
80.
|
2013
|
Construction of the optical database for CuInGaSe2-based semiconductors with different Cu and Ga compositions,(The 6th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry)
|
81.
|
2012/03
|
分光エリプソメトリーを利用した大面積a-Si:Hモジュールの太陽電池特性評価(第59回 応用物理学関係連合講演会,)
|
82.
|
2012/03
|
局所ネットワーク構造によるa-SiC:H光学定数の変化(第59回 応用物理学関係連合講演会)
|
83.
|
2012
|
Spectroscopic ellipsometry characterization of Si-based solar cells(European Materials Research Society (E-MRS))
|
84.
|
2011
|
A novel diagnostic technique for textured silicon heterojunction solar cells: multilayer structure and property analysis by spectroscopic ellipsometry,(21st Int. Photovoltaic Sci. and Engineering Conference)
|
85.
|
2011
|
Determination of hydrogen content in amorphous silicon layers formed on textured crystalline silicon substrates by spectroscopic ellipsometry,(21st Int. Photovoltaic Sci. and Engineering Conference)
|
86.
|
2011
|
Ellipsometry characterization of a-Si:H p-Layers in a-Si:H/c-Si Solar Cells(24th Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors)
|
87.
|
2010/09
|
分光エリプソメトリーによるテクスチャー型a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池の高精度構造評価(第71回応用物理学会学術講演会)
|
88.
|
2010/09
|
ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたGaN自立基板の電気的評価(第71回応用物理学会学術講演会)
|
89.
|
2010/03
|
ポリアニリン透明ショットキー電極を用いたn-GaN膜のDLOS評価(第57回応用物理学関係連合講演会)
|
90.
|
2010
|
Ellipsometry characterization of silicon thin films in textured solar cell structures,(Third International Workshop on Thin Film Silicon Solar Cells (IWTFSSC-3))
|
91.
|
2009/09
|
透明導電性高分子/III族窒化物半導体ショットキー型太陽電池の界面構造(第70回応用物理学会学術講演会,)
|
92.
|
2009/07
|
透明導電性高分子とIII族窒化物半導体によるヘテロ接合太陽電池(第6回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム,)
|
93.
|
2009/05
|
明導電性高分子と窒化物薄膜の接合による太陽電池の開発,(第1回窒化化物半導体結晶成長講演会)
|
94.
|
2009/04
|
導電性透明高分子/GaN接合によるショットキー型太陽電池の開発(春季第56回物理学関係連合講演会)
|
95.
|
2009
|
Development of top solar cell using III-V nitride thin film(1st International Symposium on Innovative Solar Cells)
|
96.
|
2009
|
Electrical interface structure of Schottky junctions by p-conjugated polymer/III-nitride hetero structure, Proc(2009 Int. Conf. Solid State Devices and Materials)
|
97.
|
2009
|
Schottky solar cells by III-V nitrides and transparent conductive polymer Thin-Films(28th Electronic Materials Symposium (EMS-28))
|
98.
|
2009
|
Transparent Schottky contacts by conductive polymers and its application to III-nitrides solar cells(19th Int. Photovoltaic Sci. and Engineering Conference)
|
99.
|
2007
|
Characterization of local electrical property of coincidence site lattice boundary in location-controlled silicon islands by scanning probe microscope,(Mat. Res. Soc. Fall meeting,)
|
100.
|
2007
|
Characterization of local electrical property of coincidence site lattice boundary in location-controlled silicon islands by scanning probe microscope”,SAFE
|
101.
|
2007
|
Local electrical properties of coincidence site lattice boundaries in location-controlled silicon islands by scanning capacitance microscopy,(Active Matrix Flat Panel Display 2007)
|
102.
|
2007
|
Local electrical property of coincidence site lattice boundary in location-controlled Silicon islands by scanning spread resistance microscopy,(Proceedings of the 14th International Display Workshops)
|
103.
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2006/03
|
単結晶Mo基板上へのエピタキシャルAIN成長(第53回応用物理学関係連合講演会)
|
104.
|
2006/03
|
単結晶Ta基板上へのIII族窒化物エピタキシャル成長(第53回応用物理学関係連合講演会)
|
105.
|
2006/03
|
鏡面Ag基板上へのGaN薄膜エピタキシャル成長(第53回応用物理学関係連合講演会)
|
106.
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2005/11
|
金属基板上のGaNエピタキシャル成長(第50回人工結晶討論会)
|
107.
|
2005/09
|
Cu(111)基板上へのGaN薄膜エピタキシャル成長(2)(第66回応用物理学会学術講演会)
|
108.
|
2005/09
|
単結晶Fe基板上III族窒化物エピタキシャル薄膜の基板面方位依存性(第66回応用物理学会学術講演会)
|
109.
|
2005/03
|
単結晶Fe基板上へのIII族窒化物薄膜エピタキシャル成長(第52回応用物理学関係連合講演会)
|
110.
|
2004/09
|
PLD法によるマイカ上へのGaNエピタキシャル成長(秋季第65回応用物理学会学術講演会)
|
111.
|
2004
|
Field-effect a-Si:H solar cells with transparent conductive oxide comb-shaped electrodes(The 11 International Workshop on Oxide Electronics)
|
112.
|
2003/08
|
Molecular Beam Deposition法による水素化アモルファスシリコンの構造および光安定性(第64回応用物理学会学術講演会)
|
113.
|
2003/03
|
Molecular Beam Deposition法による水素化アモルファスシリコンの作製および物性(第50回応用物理学関係連合講演会)
|
114.
|
2003
|
Novel network control in hydrogenated amorphous silicon by molecular beam deposition method(20th International Conference on Amorphous and microcrystalline semiconductors –Science and Technology,)
|
115.
|
2002
|
Amorphous silicon – catalysts hybrid photovoltaic device for hydrogen production(International Workshop of Photochemistry in Tokyo)
|
116.
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2001/03
|
電界効果型a‐Si:H太陽電池の特性向上(第48回応用物理学関係連合講演会,)
|
117.
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2000/09
|
電界効果によるa-Si:H太陽電池特性の向上(第61回応用物理学会学術講演会)
|
118.
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2000/09
|
デバイスシミュレーションによる電界効果型太陽電池特性の評価と向上の検討,(第61回応用物理学会学術講演会)
|
119.
|
2000/03
|
パルスレーザー堆積法によるシリコン薄膜の作製(第47回応用物理学関係連合講演会)
|
120.
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1999/09
|
2次元デバイスシミュレーションによるTFT特性の系統的調査(第60回応用物理学会学術講演会)
|
121.
|
1999/09
|
パルスレーザー堆積法によるシリコン薄膜の作成(第60回応用物理学会学術講演会)
|
122.
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1999/09
|
素化アモルファスシリコン/絶縁体界面の制御および評価(第60回応用物理学会学術講演会)
|
123.
|
1999/03
|
コンビナトリアルプラズマCVD法のa-Si:Hデバイス作製への応用,(第46回応用物理学関係連合講演会)
|
124.
|
1999/03
|
パルスレーザー法によるシリコン薄膜の作成と評価(第46回応用物理学関係連合講演会)
|
125.
|
1999/03
|
電界効果a-Si:H太陽電池のコンビナトリアルプロセス開発(第46回応用物理学関係連合講演会)
|
126.
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1998/03
|
コンビナトリアルプラズマプロセスによるa-Si:Hの作製と表面窒化,(第45回応用物理学関係連合講演会)
|
127.
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1998/03
|
nチャネル電界効果型アモルファスシリコン太陽電池の作製プロセス(第45回応用物理学関係連合講演会)
|
128.
|
1998/03
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コンビナトリアルパルスレーザー堆積法による薄膜作成条件の解析(第45回応用物理学関係連合講演会)
|
129.
|
1998/03
|
電界効果a-Si:H太陽電池に用いる酸化物誘電体薄膜の作製および評価(第45回応用物理学関係連合講演会)
|
130.
|
1998/03
|
電界効果a-Si:H太陽電池用高分子強誘電性薄膜の評価(第45回応用物理学関係連合講演会)
|
131.
|
1998/03
|
電界効果型a‐Si:H太陽電池用絶縁膜材料探索のコンビナトリアルアプローチ(第46回応用物理学関係連合講演会)
|
132.
|
1998/03
|
電界効果アモルファスシリコン太陽電池のコンセプトとデバイスシミュレーション(第74回日本化学会)
|
133.
|
1998
|
Fabrication of dielectric film/a-Si:H junction for field effect a-Si:H solar cell(2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion)
|
134.
|
1998
|
Fabrication of dielectric film/a-Si:H junction for field effect a-Si:H solar cell(The first NIMS International Symposium on Photoreaction Control and Photofunctional Materials)
|
135.
|
1997/11
|
パルスレーザーアブレーション法によるSi薄膜の堆積(第24回アモルファス物質の物性と応用セミナー)
|
136.
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1997/10
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光照射によるa-Si:H極薄膜の表面モホロジー変化のAFM観察(第58回応用物理学会学術講演会)
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137.
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1997/10
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電界効果a-Si:H太陽電池の構造とプロセス技術に関する考察(第58回応用物理学会学術講演会)
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138.
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1997
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Characteristics of field effect a-Si:H solar cells(17th International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors -Science and Technology)
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