研究者情報 - 佐藤　知正

（最終更新日：2022-11-22 13:18:32）

  サトウ　トモマサ   Sato Tomomasa
  佐藤　知正
   所属   神奈川大学工学部電気電子情報工学科

職種助手

■ 専門分野

電子材料, 電子デバイス

■ 著書・論文歴

1.	論文	Novel Inorganic DC Lateral Thin Film Electroluminescent Devices Composed of ZnO Nanorods and ZnS Phosphor （共著） 2009
2.	論文	Effects of Al doping to ZnO nanorods in inorganic EL device including ZnO nanorods （共著） 2007/09
3.	論文	Control of Diameter of ZnO Nanorods Grown by Chemical Vapor Deposition with Laser Ablation of ZnO （共著） 2007
4.	論文	Annealing Effects of ZnO Nanorods on DC Inorganic Electroluminescent Device　Characteristics Material Research Society Symposium Proceeding Vol. 829, pp.127 - 132 （共著） 2005
5.	論文	Synthesis of Aligned ZnO Hexagonal Nanorods and Its Application to ZnS Based DC Electroluminescent Devices （共著） 2003
6.	論文	A New DC Electroluminescent Device Including Nanosized ZnO Whiskers （共著） 2003
7.	論文	Effects of Laser Ablation on Growth of ZnO/ZnS/ZnO Multilayer Structured Nanorods by Chemical Vapor Deposition 1144-LL13-13 （共著） 2009
8.	論文	Lowering of Operation Voltage of AC Type Inorganic Electroluminescence Devices by Including ZnO Nanorods （共著） 2006/09
9.	論文	Effects of Laser Ablation in Fabrication of ZnO Nanorods by Chemical Vapor Deposition （共著） 2006
10.	論文	Effects of Laser-Ablated Impurity on Aligned ZnO Nanorods Grown by Chemical Vapor Deposition”, Takashi Hirate, Shinya Sasaki, Weichi Li, Hirohumi Miyashita, Takashi Kimpara and Tomomasa Satoh, Thin Solid Films Vol.487, pp.35-39 （共著） 2005
11.	論文	New Electroluminescence Spectrum from Co-doped ZnS:(Mn,Si) Films Prepared by Chemical Vapor Deposition Combined with Laser Ablation （共著） 2004
12.	論文	Light emission phenomenon from an ITO/ZnS: Mn-n-Si device （単著） 1999
13.	論文	Specifications of light-emitting Region in an ITO/ZnS: Mn/m-si electroluminescent device （単著） 1999
14.	論文	An／Zns（Sm，F）／p－Si構造におけるC－Vヒステリシス機構の検（共著） 1996/04
15.	論文	高周波及びイオンビームスパッタ法による薄膜EL素子の作製（単著） 1989/03
16.	その他	ZnOナノロッド上へのZnS成長（共著） 2009/03
17.	その他	横方向電圧印加型DCELデバイスの作製における転写とエッチングの導入（共著） 2009/03
18.	その他	ZnOナノロッド上へのZn(O1-xSx)成長（共著） 2008/09
19.	その他	ZnO ナノロッドを組み入れた横方向電圧印加型直流E L デバイス（共著） 2008/09
20.	その他	ZnOナノロッドのCVD成長前のレーザアブレーション時のZn蒸気供給の効果（共著） 2008/03
21.	その他	ZnOナノロッド上へのZnS/ZnO成長（共著） 2008/03
22.	その他	ZnOナノロッドを挿入したAC-EL素子の電気的特性（共著） 2007/09
23.	その他	AlドープしたZnOナノロッドを挿入したAC駆動型無機電界発光素子（共著） 2007/03
24.	その他	CVD-ZnOナノロッド成長におけるMnレーザアブレーションの効果（共著） 2006/09
25.	その他	ZnOナノロッドのCVD成長前のZnOレーザアブレーションの効果（共著） 2006/09
26.	その他	2段階成長による高配向ZnOナノロッドの細径化（共著） 2006/03
27.	その他	DC駆動型無機電界発光素子におけるNi層の挿入による発光領域の均一化（共著） 2006/03
28.	その他	ZnOナノロッドの挿入したAC駆動型無機電界発光素子の特性（共著） 2006/03
29.	その他	CVD-ZnOナノロッド成長におけるMnドーピングの効果（共著） 2005/09
30.	その他	Mn-Si-O系薄膜の発光スペクトル（共著） 2005/09
31.	その他	ZnOナノロッドのFE特性におけるMnドーピングによる表面改質効果（共著） 2005/09
32.	その他	酸素流量のCVD-ZnOナノ構造形状への影響（共著） 2005/03
33.	その他	MnをドーピングしたナノロッドZnOの成長過程（共著） 2004/09
34.	その他	ナノ構造ZnO成長における成長温度の影響（共著） 2004/09
35.	その他	減圧熱CVD-ZnO成長におけるレーザアブレーション不純物の影響（共著） 2004/03
36.	その他	CVD-ZnS:Mn膜の発光スペクトルへの成膜温度の影響（共著） 2003/09
37.	その他	CVD法によるZnOの成長へのp-Si基板表面処理の影響（共著） 2003/09
38.	その他	ITO/ZnS:Mn/w-ZnO/p-Si型DCEL素子の絶縁破壊電圧におけるZnOウイスカー形状の影響（共著） 2003/09
39.	その他	ZnOウイスカー層の直流電界発光素子への導入（共著） 2003/03
40.	その他	ZnS:Mn/p-Si接合におけるZnO挿入の効果（共著） 2003/03
41.	その他	ITO/ZnS:Mn/p-Si型DCEL素子のSi表面へのレーザ照射効果（共著） 2002/09
42.	その他	ZnS:Er薄膜における新しい発光スペクトル（共著） 2002/09
43.	その他	減圧熱CVD法によるZnO薄膜の作製とそのルミネッセンス特性（共著） 2002/03
44.	その他	Electrical and luminescent characteristics of ZnS (Mn)/n-Si heterojunction devices （単著） 1999
45.	その他	RFスパッタリング法によるAu／ZnS／Si構造のJ－V特性に関する一検討－Au:正電圧の場合－（共著） 1998/03
46.	その他	RFスパッタリング法によるAu／ZnS／Si構造のJ－V特性に関する一検討－Au:負電圧の場合－（共著） 1998/03
47.	その他	ZnS:Mn／p-Si型直流電界発光素子の特性－電極材料及び電極構造に関する検討－（共著） 1998/03
48.	その他	Various Electroluminescence Spectra from ZnS:Mn Films Grown by CVD （共著） 1997/11
49.	その他	Al／Y₂O₃／ZnS(Sm､F)／Al／Al₂O₃／Y₂O₃／ITO積層構造の初期Q－V特性（共著） 1997/09
50.	その他	RFスパッタリング法によるZnS／Si構造の熱処理効果（共著） 1997/09
51.	その他	ZnS／p-Si構造におけるC－V特性の電気的ストレスの影響（共著） 1997/09
52.	その他	Al／Y₂O₃／Al／ZnS(Sm､F)／Y₂O₃／ITO積層構造の初期Q－V特性へのフォーミング処理の効果（共著） 1997/03
53.	その他	Au/ZnS(Sm、F)/p-Siの電気的特性の温度依存性（共著） 1997/03
54.	その他	RFスパッタによるZnS／p－Siヘテロ接合のC－V特性への成膜条件の影響（共著） 1997/03
55.	その他	減圧熱CVD法によるZnS:Mn薄膜の電界発光特性（共著） 1997/03
56.	その他	金属Znをソース材料としたCVD法によるZnS:Mn膜の作製とその発光特性（共著） 1997/01
57.	その他	Al／Y₂O₃／Al／ZnS（Sm、F）／Y₂O₃／SnOx積層構造の初期Q－V特性（共著） 1996/09
58.	その他	Au／ZnS(Sm、F)／p－Si構造の電気的特性における不純物軽減の効果（共著） 1996/09
59.	その他	RFスパッタによるZnS／p－Si接合の特異なC－V特性に関する一検討（共著） 1996/09
60.	その他	減圧熱CVD法によるZnS膜の成膜温度依存性（共著） 1996/09
61.	その他	Al／Y²O³／Al／ZnS（Sm、F）／Y²O³／SnOx層構造のQ－V特性（共著） 1996/03
62.	その他	Au／ZnS（Sm、F）／p－Si構造の電気的特性におけるW軽減の効果（共著） 1996/03
63.	その他	熱CVD法によるZnS（Mn）膜の下地依存性（共著） 1996/03
64.	その他	Au／ZnS（Sm，F）／p－Si構造におけるC－Vヒステリシス特性（共著） 1995/09
65.	その他	多層薄膜EL素子におけるゲート層の動作について（共著） 1995/09
66.	その他	新タイプ蛍光粒子の開発（共著） 1995/09
67.	その他	ZnS／p－Si接合の成膜方法依存性（共著） 1995/03
68.	その他	単一方向パルスによるZnS系蛍光粉体のEL特性（共著） 1995/03
69.	その他	多層薄膜EL素子におけるゲート層の効果（共著） 1995/03
70.	その他	ZnS／p－Si構造DCEL素子の界面準位に関する一検討（共著） 1995/01
71.	その他	ZnS系蛍光粉体の光CVD表面処理（共著） 1995/01
72.	その他	イオンビームスパッタZnS薄膜における酸素ドーピング（共著） 1995/01
73.	その他	ZnS／p－Si接合におけるカーボンの影響（共著） 1994/09
74.	その他	Zns系蛍光粉体のSiO2低温コーティング処理（共著） 1994/09
75.	その他	イオンビームスパッタZnS薄膜におけるO2添加効果への不純物濃度の影響（共著） 1994/09
76.	その他	OとFをドーピングしたイオンビームスパッタZnS薄膜（共著） 1994/03
77.	その他	ZnS／p－Si接合の特性（共著） 1994/03
78.	その他	ZnSをコーディングした粉体の作製（共著） 1994/03
79.	その他	ZnS系蛍光粉体の光CVD SiO2膜コーティング（共著） 1994/03
80.	その他	Si膜をコーティングしたZnS系蛍光粉体の発光波形（共著） 1993/09
81.	その他	イオンビームスパッタZnS薄膜におけるO2添加効果（共著） 1993/09
82.	その他	イオンビームスパッタによるZnS系薄膜の作製（共著） 1988/08
83.	その他	反応性RFスパッタによるZnS薄膜の結晶構造（共著） 1988/03
84.	その他	ZnS系薄膜EL素子の発光スペクトル（共著） 1987/03
5件表示
全件表示(84件)

■ 本学関連サイト

1.	「神大の先生」サイトページ