(最終更新日:2019-03-11 16:10:20)
  ミズノ トモヒサ   Mizuno Tomohisa
  水野 智久
   所属   神奈川大学  理学部 数理・物理学科
   職種   教授
■ 学会発表
1. 2019/03/09 バルクSi基板へのホットC+イオン注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅳ):面方位依存性(第66回応用物理学会春季学術講演会)
2. 2019/03/09 多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成(Ⅱ):C+ドーズ依存性(第66回応用物理学会春季学術講演会)
3. 2018/09/19 バルクSi基板中のSiCナノドットサイズのプロセス依存性(第79回応用物理学会秋季学術講演会)
4. 2018/09/19 多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成(第79回応用物理学会秋季学 術講演会)
5. 2018/09/12 SiC Dots in Amorphous-Si and Poly-Si Substrates Fabricated by Hot-C+ -Ion Implantation(International Conference on Solid State Devices and Materials)
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■ 著書・論文歴
1. 論文  SiC nanodot formation in amorphous-Si and poly-Si substrates using a hot-C+-ion implantation technique (共著) 2019/02
2. 論文  Nano-SiC region formation in (100)Si-on-insulator substrate: Optimization of hot-C+-ion implantation process to improve photoluminescence intensity (共著) 2018/03
3. 論文  SiC Nano-Dots in Bulk-Si Substrate Fabricated by Hot-C+-Ion Implantation Technique (共著) 2017/09
4. 論文  SiC Dots in Amorphous-Si and Poly-Si Substrates
Fabricated by Hot-C+ -Ion Implantation (共著) 2018/09
5. 論文  SiC Nano-Dot Controlled by Hot-C+-Ion Implantation Conditions in Bulk-Si Substrate for Photonic Devices (共著) 2018/06
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■ 学歴
1. 1981/04~1982/10 名古屋大学大学院 理学研究科 宇宙理学専攻 博士課程中退
2. 1979/04~1981/03 名古屋大学大学院 理学研究科 宇宙理学専攻 修士課程修了 修士
3. 1991/06
(学位取得)
名古屋大学 工学博士
4. 1974/04~1979/03 名古屋大学 理学部 物理学科 卒業
■ 職歴
1. 2008/07~2013/03 産業技術総合研究所 客員研究員
2. 2004/04~2008/03 産業技術総合研究所 客員研究員
3. 1999/04~2008/03 放送大学 兼任(非常勤)講師
■ 所属学会
1. 2004/12~ 米国物理学会
2. 1987~ 日本物理学会
3. 1986~ IEEE
4. 1983~ 日本応用物理学会
■ 研究課題・受託研究・科研費
1. 2018/04~2021/03  PN接合内蔵電位依存少数キャリヤ再結合欠陥調査及び解析の研究 基盤研究(C)(一般) 
2. 2017/04~2020/03  炭素ホットイオン注入法を用いた二次元シリコンカーバイド及びグラフェンの基盤研究 基盤研究(C) 
3. 2013/04~2016/03  金属仕事関数誘起高効率シリコンソーラーセルの研究 基盤研究C 
4. 2012/04~2015/03  半導体単原子層を用いた超微細素子の基盤研究 基盤研究(C) 
5. 2010/04~2013/03  マイクロ波フリーキャリヤ吸収法による非熱平衡プロセス処理起因欠陥とその制御の研究 基盤研究C 
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■ ホームページ
   Mizuno Lab.
■ メールアドレス
  kyoin_mail
■ 受賞学術賞
1. 2004/12 IEEE Electron Devices Society George Smith Award
2. 2014/09 SSDM Award
3. 2004/03 MIRAIプロジェクト優秀賞受賞(ひずみSOI素子の移動度決定に対して)
4. 2004/02 IEEE-ISSCC Takuo Sugano Award受賞(ひずみSOI技術に対して)
5. 2003/04 MIRAIプロジェクト最優秀賞受賞(ひずみSOIのCMOS回路実証に対して)
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■ 現在の専門分野
半導体物理・工学, ナノテクノロジー 
■ 取得特許
1. 2003/06/24 半導体装置及びその製造方法(6583437)
2. 2003/04/18 電界効果トランジスタ及びこれを用いた集積化論理回路(第3420168号)
3. 2003/01/21 半導体装置及びその製造方法(6509587)
4. 2002/12/06 半導体装置(第3378414号)
5. 2002/11/12 半導体装置(第3372110号)
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■ 科研費研究者番号
60386810
■ 研究経歴
1. 1986
1989
世界最初の1MビットCMOS-DRAM開発。当時、世界最初の1MビットCMOS-DRAM開発を東芝で行い,東芝社長表彰を受賞"
2. 1991
1996
新構造半導体素子開発。チャネル領域の不純物層を浅くする新構造素子を開発し,チャネルに垂直電界が緩和することにより,キャリア速度が上昇することを実証しました.これにより,日経BP技術賞電子部門賞を受賞"
3. 1998
半導体格子定数変調技術を用いたひずみSOI素子の開発。
4. 2004
2008
ソースへテロ構造による高速度キャリア注入現象を用いた高速CMOSの研究
5. 2008
2011
イオン注入法を用いた歪/緩和半導体へテロ構造の研究
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■ 共同研究希望テーマ
1. 半導体基板/素子