(最終更新日:2019-10-10 10:40:50)
  ナカタ ジョウジ   Nakata Jyoji
  中田 穣治
   所属   神奈川大学  理学部 数理・物理学科
   職種   教授
■ 学会発表
1. 2019/09 イオン注入とポストアニールによって形成したPドープⅡa型ダイヤモンドの電気特性(2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会)
2. 2019/09 室温11B+イオン注入及び 1150℃, 1300℃ アニール処理によるIIa型ダイヤモンド基板への高効率p 型 B ドーピング(2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会)
3. 2018/09/21 イオンビームミキシングを併用したイオンビーム誘起結晶成長法による水素終端上非晶質Si層のエピタキシャル成長(第79回応用物理学会秋季学術講演会)
4. 2017/09/23 Bイオンを用いたMeV級古典RBS法によるナノメートルオーダ界面揺らぎの定量解析(日本物理学会2017年秋季大会)
5. 2017/09/07 清浄および水素終端化Si(001)表面上に形成した極薄非晶質Si層の 中エネルギーIBIECによる再結晶化レートと界面水素量依存性(第78回応用物理学会秋季学術講演会)
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■ 著書・論文歴
1. 著書  半導体用語辞典 (共著) 1999/03
2. 論文  The remarkable p-type conductivity of CVD diamond substrate accomplished by 11B+ ion implantation at room temperature and subsequent annealing at relatively low-temperature of 1150 and 1300°C (共著) 2019/09
3. 論文  Remarkable p-type activation of heavily doped diamond accompilshed by
boron ion implantation at room temperature and subsequent annealing at
relatively low temperatures of 1150 and 1300°C (共著) 2019/08
4. 論文  Formation of SiC Nanocrystals Aligned at the SiO2/Si Interface Aiming at Sample Preparation for Scanning Tunneling Luminescence Spectroscopy (共著) 2019/07
5. 論文  EPITAXIAL CRYSTALLIZATION OF DEPOSITED AMORPHOUS Si LAYERS ON THE H-TERMINATED Si SUBSTRATES USING IBIEC FOLLOWED BY IBMX (共著) 2019/03
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■ 学歴
1. 1990/02/22
(学位取得)
東京大学 理学博士
2. 1974/04~1976/03 東京大学大学院 理学系研究科 物理学専門課程 修士課程修了 理学修士
3. 1970/04~1974/03 東京大学 理学部 物理学科 卒業 理学学士
■ 職歴
1. 2012/04~2014/03 神奈川大学 理学部 数理・物理学科 学科主任
2. 2003/04~2015/03 神奈川大学 理学研究科 (兼担)教授 情報科学専攻 専攻主任
3. 2001/04~2002/03 独立行政法人産業技術総合研究所 客員研究員
4. 1999/06~2001/03 通産省電子技術総合研究所 客員研究員
5. 1996/07~1999/03 日本電信電話株式会社 基礎研究所先端デバイス研究部
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■ 教育上の能力
●教育方法の実践例
1. 2013/08~ 中高教員免許状更新講習会で物理学学生実験、を紹介し、中高の先生方の模擬講義を指導した。
2. 2013/03~ 指定校推薦の学生を送り込んでいる高等学校に対する訪問
3. 2012/06~ 神奈川新聞主催 実験型授業を湘南地区の高校を中心に行った。
4. 2012/04~ 新しい数理・物理学科におけるFYS教育の体系化
5. 2009/07/01~2011/08/31 神奈川県主催大学セミナーへ理学部代表で物理学学生実験の展示
●作成した教科書、教材
●その他教育活動上特記すべき事項
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■ 所属学会
1. 2004/04~ 日本加速器学会
2. 2001/10~ 放射線安全管理学会
3. 1999/04~ ニューダイヤモンドフォーラム
4. 1994/04~ 米国物理学会
5. 1990/04~ 日本アイソトープ協会
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■ 資格・免許
1. 1978/11 第一種放射線取扱主任者免状(登録番号第8279号)取得
2. 1976/03 教員免許状 高等学校教諭一級理科(昭51高一普1290号)取得
■ 社会における活動
1. 2014/08~ 教員免許更新講習会のコーディネーターとして企画立案を行った。
2. 2014/08~2016/08 神奈川県主催大学セミナーにおいて神奈川大学を代表して、物理学学生実験のexibitionを行った。
3. 2005/01 神奈川新聞から神奈川大学中田研究室における研究内容について取材を受ける
4. 2003/10~2011/10 東京工業大学大岡山キャンパスへ2.5-MeV Van-de-Graaff型加速器システムの移設完了
5. 2003/05~2011/10 東京工業大学大岡山キャンパスへ2.5-MeV Van-de-Graaff型加速器システムの一部移設
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■ 研究課題・受託研究・科研費
1. 2019/04~2020/03  量子ビームを使った非晶質Si層の低温単結晶化現象の研究 国内共同研究 
2. 2008/11~2009/03  電子ビーム露光装置を利用したカイラリティー制御カーボンナノチューブ形成法の研究 国内共同研究 (キーワード:カーボンナノチューブ、電子ビーム露光装置)
■ 講師・講演
1. 1992/09 高エネルギーイオンビームによる低温単結晶化(立命館大学 衣笠キャンパス)
2. 1992/09 高エネルギー重イオン照射による非晶質Siの低温単結晶化及び非晶質化のメカニズム(明治大学 生田キャンパス)
3. 1990/07 『高エネルギー重イオン照射による非晶質Siの低温単結晶化の研究』(東京大学)
■ 委員会・協会等
1. 2015/04/01~ 萬谷記念かながわ奨学基金 選考委員 選考委員
2. 1999/04~ 学協会「ニューダイヤモンドフォーラム」 会員
3. 1998/07~1999/06 法令検討委員会 委員
4. 1996/06~1998/06 主任者部会本部運営委員会 委員
5. 1996/06~1998/06 法令検討委員会 委員長
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■ ホームページ
   https://www.sci.kanagawa-u.ac.jp/math-phys/jyojin/
■ 受賞学術賞
1. 1989/10 NTT社長表彰 [産業用超電導小型電子蓄積リング(小型SOR)開発]
2. 1989/10 研究開発本部長 報道特別賞 [同上]
■ 現在の専門分野
ナノサイエンス、半導体物理学, イオンビーム科学、加速器科学 (キーワード:ダイヤモンド半導体、シリコン半導体、ナノカーボン材料) 
■ 取得特許
1. 2014/02/28 カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法(特許第548306号)
2. 2009/08/31 カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法(特願2009-200704)
3. 1999/12 アニ―ル法(特願平11-345410)
4. 1997 '非晶質Si層の低温単結晶化法(特願平9-62885)
5. 1997 堆積非晶質Si層のエピタキシャル単結晶化法(特願平9-76957)
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■ 科研費研究者番号
90333145